1. Ionenstrahl-Sputterbeschichtung
D'Uewerfläch vum Material gëtt mat engem Ionenstrahl mat mëttlerer Energie bombardéiert, an d'Energie vun den Ionen dréngt net an d'Kristallgitter vum Material, mä iwwerdréit d'Energie op d'Zilatome, wouduerch se sech vun der Uewerfläch vum Material ewechsputteren an dann duerch Oflagerung um Werkstéck e dënne Film bilden. Wéinst dem Sputteren, deen duerch den Ionenstrahl produzéiert gëtt, ass d'Energie vun den Atomer vun der gesputterter Filmschicht ganz héich, an d'Zilmaterial gëtt mam Ionenstrahl an engem héije Vakuum bombardéiert, d'Reinheet vun der Filmschicht ass héich, an héichqualitativ Filmer kënnen ofgesat ginn, während d'Stabilitéit vun der Ionenstrahlfilmschicht verbessert gëtt, wat den Zweck vun der Verbesserung vun den opteschen an mechaneschen Eegeschafte vun der Filmschicht erreecht ka ginn. Den Zweck vum Ionenstrahlsputteren ass et, nei Dënnfilmmaterialien ze bilden.
2. Ionenstrahlätzen
Ionenstrahlätzen ass och e mëttelenergetescht Ionenstrahlbombardement vun der Uewerfläch vum Material fir e Sputtering- an Ätzeffekt um Substrat ze produzéieren, an ass e Hallefleiterapparat, optoelektronesch Apparater an aner Beräicher vun der Produktioun vu Grafikkärtechnologie. D'Virbereedungstechnologie fir Chips an integréierte Hallefleiterschaltkreesser ëmfaasst d'Virbereedung vu Millioune Transistoren op engem Eenkristall-Siliciumwafer mat engem Duerchmiesser vun Φ12 Zoll (Φ304,8 mm). All Transistor ass aus verschiddene Schichten vun dënne Filmer mat verschiddene Funktiounen opgebaut, déi aus enger aktiver Schicht, enger isoléierender Schicht, enger Isolatiounsschicht an enger leitfäeger Schicht bestinn. All funktionell Schicht huet hiert eegent Muster, sou datt nodeems all Schicht vum funktionelle Film platéiert gouf, déi onnëtz Deeler mat engem Ionenstrahl ewechgeätzt mussen ginn, wouduerch déi nëtzlech Filmkomponenten intakt bleiwen. Hautdesdaags huet d'Drotbreet vum Chip 7 mm erreecht, an Ionenstrahlätzen ass néideg fir sou e feint Muster ze preparéieren. Ionenstrahlätzen ass eng dréchen Ätzmethod mat héijer Ätzgenauegkeet am Verglach mat der naass Ätzmethod, déi am Ufank benotzt gouf.
Ionenstrahlätztechnologie mat inaktivem Ionenstrahlätz an aktivem Ionenstrahlätz gëtt et zwou Zorten. Déi éischt mat Argon-Ionenstrahlätzung gehéiert zu der physikalescher Reaktioun; déi zweet mat Fluor-Ionenstrahlsputtering, wou de Fluor-Ionenstrahl nieft héijer Energie och d'Roll vum Tramp produzéiert, de Fluor-Ionenstrahl kann och mat SiO geätzt ginn.2Si3N4, GaAs, W an aner dënn Schichten hunn eng chemesch Reaktioun, et ass souwuel de physikalesche Reaktiounsprozess, wéi och de chemesche Reaktiounsprozess vun der Ionenstrahlätztechnologie, d'Ätzgeschwindegkeet ass séier. Reaktiounsätzung vu korrosiven Gase si CF4C2F6CCl4, BCl3, etc., déi generéiert Reaktanten fir SiF4SiCl4GCl3;、an WF6 ginn korrosiv Gase extrahéiert. Ionenstrahlätztechnologie ass déi Schlësseltechnologie fir High-Tech-Produkter ze produzéieren.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 24. Oktober 2023