(3) Radiofrequenzplasma-CVD (RFCVD) RF kann duerch zwou verschidde Methoden benotzt ginn, fir Plasma ze generéieren, nämlech d'kapazitiv Kopplungsmethod an d'induktiv Kopplungsmethod. RF-Plasma-CVD benotzt eng Frequenz vun 13,56 MHz. De Virdeel vum RF-Plasma ass, datt et sech iwwer eng vill méi grouss Fläch diffundéiert wéi Mikrowelleplasma. D'Limitatioun vum RF-kapazitiv gekoppelte Plasma ass awer, datt d'Frequenz vum Plasma net optimal fir d'Sputtering ass, besonnesch wann de Plasma Argon enthält. Kapazitiv gekoppelt Plasma ass net gëeegent fir héichqualitativ Diamantfilmer ze wuessen, well Ionenbombardement vum Plasma zu schwéiere Schied um Diamant féiere kann. Polykristallin Diamantfilmer goufen mat RF-induzéiertem Plasma ënner Oflagerungsbedingungen ähnlech wéi Mikrowelleplasma-CVD gewuess. Homogen epitaktesch Diamantfilmer goufen och mat RF-induzéierter plasmaverstäerkter CVD kritt.
(4) Gläichstroum-Plasma-CVD
DC-Plasma ass eng aner Method fir eng Gasquell (normalerweis eng Mëschung aus H2 a Kuelewaasserstoffgas) fir d'Diamantfilmwuesstem z'aktivéieren. DC-Plasma-assistéiert CVD huet d'Fäegkeet fir grouss Flächen vun Diamantfilmer ze wuessen, an d'Gréisst vun der Wuestumsfläch ass nëmme vun der Gréisst vun den Elektroden an der DC-Stroumversuergung limitéiert. En anere Virdeel vun DC-Plasma-assistéierter CVD ass d'Bildung vun enger DC-Injektioun, an typesch Diamantfilmer, déi mat dësem System kritt ginn, ginn mat enger Geschwindegkeet vun 80 mm/h ofgesat. Zousätzlech, well verschidde DC-Bougmethoden héichqualitativ Diamantfilmer op net-Diamantsubstrater mat héijen Ofsetzungsraten ofsetzen kënnen, bidden se eng vermaartbar Method fir d'Oflagerung vun Diamantfilmer.
(5) Elektronen-Cyclotron-Resonanz-Mikrowellenplasma-verstäerkt chemesch Dampfoflagerung (ECR-MPECVD) Dat uewe beschriwwent DC-Plasma, RF-Plasma a Mikrowellenplasma trennen an zersetzen H2, oder Kuelewaasserstoffer, an atomar Waasserstoff- a Kuelestoff-Waasserstoff-Atomgruppen, wouduerch zur Bildung vun Diamant-Dënnschichten bäidroen. Well Elektronen-Cyclotron-Resonanzplasma Plasma mat héijer Dicht (>1x1011cm-3) produzéiere kann, ass ECR-MPECVD besser fir d'Wuesstum an d'Oflagerung vun Diamantschichten gëeegent. Wéinst dem niddrege Gasdrock (10⁻⁴ bis 10⁻² Torr), deen am ECR-Prozess benotzt gëtt, wat zu enger niddreger Oflagerungsquote vun Diamantschichten féiert, ass d'Method de Moment nëmme fir d'Oflagerung vun Diamantschichten am Laboratoire gëeegent.
–Dësen Artikel gouf vum Vakuumbeschichtungsmaschinneproduzent Guangdong Zhenhua publizéiert
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 19. Juni 2024