(3) Radio Frequency Plasma CVD (RFCVD)RF bisa digunakake kanggo ngasilake plasma kanthi rong cara, yaiku metode kopling kapasitif lan metode kopling induktif. Plasma RF CVD nggunakake frekuensi 13,56 MHz. Kauntungan saka plasma RF yaiku nyebar ing wilayah sing luwih gedhe tinimbang plasma gelombang mikro. sputtering, utamané yen plasma ngandhut argon.Capacitively gandheng plasma ora cocok kanggo akeh film berlian kualitas dhuwur wiwit bombardment ion saka plasma bisa mimpin kanggo karusakan abot kanggo mirah. Film berlian polikristalin wis ditanam nggunakake plasma sing diinduksi RF ing kahanan deposisi sing padha karo CVD plasma gelombang mikro. Film berlian epitaxial homogen uga wis diduweni nggunakake CVD sing ditingkatake plasma RF.
(4) DC Plasma CVD
Plasma DC minangka cara liya kanggo ngaktifake sumber gas (umume campuran H2, lan gas hidrokarbon) kanggo pertumbuhan film berlian. CVD sing dibantu plasma DC nduweni kemampuan kanggo ngembangake film berlian sing akeh, lan ukuran area pertumbuhan mung diwatesi kanthi ukuran elektroda lan sumber daya DC. mm/jam. Kajaba iku, amarga macem-macem cara busur DC bisa nyetop film berlian berkualitas tinggi ing substrat non-diamond kanthi tingkat deposisi sing dhuwur, dheweke menehi cara sing bisa dipasarake kanggo deposisi film berlian.
(5) Electron cyclotron resonance microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-MPECVD) Plasma DC, plasma RF, lan plasma gelombang mikro sing diterangake sadurunge kabeh dissociate lan decompose H2, utawa hidrokarbon, dadi atom hidrogen lan karbon-hidrogen gugus atom, saéngga nyumbang kanggo pambentukan film tipis berlian. Amarga plasma resonansi siklotron elektron bisa ngasilake plasma kapadhetan dhuwur (> 1x1011cm-3), ECR-MPECVD luwih cocok kanggo pertumbuhan lan deposisi film berlian.
-Artikel iki dirilis dening pabrikan mesin lapisan vakum Guangdong Zhenhua
Wektu kirim: Jun-19-2024