結晶シリコンセル技術開発の方向性には、PERT技術とTopcon技術も含まれており、これら2つの技術は従来の拡散法セル技術の拡張とみなされています。共通の特徴は、セルの裏面にパッシベーション層があり、どちらもドープされたポリシリコン層をバックフィールドとして使用しています。学校は主に高温酸化層を使用しており、ドープされたポリシリコン層はLPCVDやPECVDなどの方法で使用されています。管状PECVDや平板PECVDは、PERCセルの大規模量産に使用されています。
管状PECVDは容量が大きく、一般的に数十kHzの低周波電源を採用しています。イオン衝撃とバイパスめっきの問題により、パッシベーション層の品質に影響が出る可能性があります。平板PECVDはバイパスめっきの問題がなく、コーティング性能に大きな利点があり、ドープされたSi、SiOX、SiCX膜の成膜に使用できます。欠点は、めっき膜に水素が多く含まれ、膜層のブリスターを引き起こしやすく、コーティングの厚さが制限されることです。管状炉コーティングを使用するlpcvdコーティング技術は、容量が大きく、より厚いポリシリコン膜を成膜できますが、周囲にめっきが発生します。lpcvdプロセスでは、膜層の周囲のめっきを除去した後、下層を傷つけません。量産されたトプコンセルは、平均変換効率23%を達成しています。
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投稿日時：2023年9月22日