결정질 실리콘 셀 기술 개발 방향에는 PERT 기술과 Topcon 기술도 포함됩니다. 이 두 기술은 기존 확산 방식 셀 기술의 확장으로 간주되며, 공통적인 특징은 셀 후면에 패시베이션 층이 있다는 점입니다. 또한 두 기술 모두 도핑된 폴리실리콘 층을 후면 기판으로 사용하는데, PERT 기술은 주로 고온 산화층을 사용하고, 탑콘 기술은 LPCVD, PECVD 등의 방식으로 구현됩니다. 튜브형 PECVD와 평판형 PECVD를 이용한 방식이 PERC 셀의 대량 생산에 사용되고 있습니다.
관형 PECVD는 대용량이며 일반적으로 수십 kHz의 저주파 전원을 사용합니다. 이온 충격 및 바이패스 도금 문제는 패시베이션 층의 품질에 영향을 미칠 수 있습니다. 평판형 PECVD는 바이패스 도금 문제가 없으며 코팅 성능이 우수하고 도핑된 Si, Si0X, SiCX 박막 증착에 사용할 수 있다는 장점이 있습니다. 단점은 도금된 박막에 수소가 많이 함유되어 있어 박막층의 기포 발생이 쉽고 코팅 두께에 제한이 있다는 것입니다. LPCVD 코팅 기술은 관형로를 사용하여 대용량으로 더 두꺼운 폴리실리콘 박막을 증착할 수 있지만, 주변 도금이 발생합니다. LPCVD 공정 후 주변 도금층을 제거하면 하부층에 손상을 주지 않습니다. 양산된 Topcon 셀은 평균 23%의 변환 효율을 달성했습니다.
이 기사는 다음에서 발표했습니다.진공 코팅기광둥진화
게시 시간: 2023년 9월 22일