क्रिस्टलाइन सिलिकॉन सेल तंत्रज्ञानाच्या विकासाच्या दिशेत PERT तंत्रज्ञान आणि टॉपकॉन तंत्रज्ञानाचाही समावेश होतो. या दोन्ही तंत्रज्ञानांना पारंपरिक डिफ्यूजन पद्धतीच्या सेल तंत्रज्ञानाचा विस्तार मानले जाते. त्यांची समान वैशिष्ट्ये म्हणजे सेलच्या मागील बाजूस पॅसिव्हेशन थर असणे, आणि दोन्हीमध्ये मागील बाजूस डोप्ड पॉली सिलिकॉनचा थर वापरला जातो. या दोन्ही पद्धतींमध्ये प्रामुख्याने उच्च-तापमान ऑक्सिडाइज्ड थराचा वापर केला जातो, आणि LPCVD व PECVD इत्यादी पद्धतींनी डोप्ड पॉली सिलिकॉन थराचा वापर केला जातो. तसेच, PERC सेलच्या मोठ्या प्रमाणावरील उत्पादनामध्ये ट्युब्युलर PECVD आणि फ्लॅट प्लेट PECVD यांचा वापर केला गेला आहे.
ट्युब्युलर PECVD ची क्षमता मोठी असते आणि त्यात सामान्यतः काही दहा किलोहर्ट्झचा कमी-फ्रिक्वेन्सी वीज पुरवठा वापरला जातो. आयन बॉम्बार्डमेंट आणि बायपास प्लेटिंगच्या समस्यांमुळे पॅसिव्हेशन लेयरच्या गुणवत्तेवर परिणाम होऊ शकतो. फ्लॅट प्लेट PECVD मध्ये बायपास प्लेटिंगची समस्या नसते, आणि कोटिंगच्या कामगिरीमध्ये याचा मोठा फायदा आहे, तसेच याचा उपयोग डोप्ड Si, Si0X, SiCX फिल्म्सच्या निक्षेपणासाठी (deposition) केला जाऊ शकतो. याचा तोटा असा आहे की प्लेटेड फिल्ममध्ये मोठ्या प्रमाणात हायड्रोजन असतो, ज्यामुळे फिल्म लेयरवर फोड येण्याची शक्यता असते आणि कोटिंगच्या जाडीवर मर्यादा येतात. lpcvd कोटिंग तंत्रज्ञान ट्यूब फर्नेस कोटिंगचा वापर करते, ज्याची क्षमता मोठी असते आणि ते जाड पॉलिसिलिकॉन फिल्म निक्षेपित करू शकते, परंतु यामध्ये सभोवताली प्लेटिंग होते. lpcvd प्रक्रियेनंतर फिल्म लेयरच्या सभोवतालचे प्लेटिंग काढून टाकले जाते आणि त्यामुळे खालच्या थराला इजा होत नाही. मोठ्या प्रमाणावर उत्पादित टॉपकॉन सेल्सनी सरासरी २३% रूपांतरण कार्यक्षमता प्राप्त केली आहे.
हा लेख यांनी प्रसिद्ध केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीनग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट करण्याची वेळ: २२ सप्टेंबर २०२३