A direção do desenvolvimento da tecnologia de células de silício cristalino também inclui a tecnologia PERT e a tecnologia Topcon. Essas duas tecnologias são consideradas uma extensão da tecnologia tradicional de células por difusão. Suas características comuns são a camada de passivação na parte traseira da célula e o uso de uma camada de silício policristalino dopado como substrato. A tecnologia PERT utiliza principalmente uma camada oxidada em alta temperatura, e a camada de silício policristalino dopado é depositada por meio de processos como LPCVD e PECVD. A PECVD tubular e a PECVD em placa plana têm sido utilizadas na produção em larga escala de células PERC.
A deposição química de vapor assistida por plasma tubular (PECVD tubular) possui grande capacidade e geralmente adota uma fonte de alimentação de baixa frequência, de dezenas de kHz. Problemas como bombardeio iônico e deposição por bypass podem afetar a qualidade da camada de passivação. A PECVD em placa plana não apresenta o problema de deposição por bypass e possui maior vantagem em termos de desempenho de revestimento, podendo ser utilizada para a deposição de filmes de Si dopado, SiOx e SiCx. A desvantagem é que o filme depositado contém muito hidrogênio, o que facilita a formação de bolhas na camada, além de limitar a espessura do revestimento. A tecnologia de revestimento por PECVD em forno tubular, com grande capacidade, permite a deposição de filmes de polisilício mais espessos, porém ocorre deposição por bypass. No processo de PECVD em placa plana, a deposição por bypass é removida sem danificar a camada inferior. As células Topcon produzidas em massa atingiram uma eficiência de conversão média de 23%.
——Este artigo foi publicado pormáquina de revestimento a vácuoGuangdongZhenhua
Data da publicação: 22/09/2023