Atina'eina o tekinolosi ufiufi o sela la o le silicon tioata

O le itu o le atinaʻeina o tekinolosi o le crystalline silicon cell e aofia ai foʻi le tekinolosi PERT ma le tekinolosi Topcon, o nei tekinolosi e lua ua manatu o se faʻaopoopoga o le metotia masani o le diffusion cell technology, o latou uiga masani o le passivation layer i le pito i tua o le cell, ma e lua uma e faʻaaogaina se vaega o le doped poly silicon e fai ma back field, o le aʻoga e masani ona faʻaaogaina i le vaega oxidized vevela maualuga, ma o le doped poly silicon layer e faʻaaogaina i le auala o le LPCVD ma le PECVD, ma isi. O le Tubular PECVD ma le Tubular PECVD ma le flat plate PECVD ua faʻaaogaina i le tele o le gaosiga o sela PERC.

O le tubular PECVD e tele lona gafatia ma e masani ona faʻaaogaina se sapalai eletise maualalo-tele e tele sefulu kHz. O faʻafitauli o le Ion bombardment ma le bypass plating e mafai ona aʻafia ai le lelei o le passivation layer. O le flat plate PECVD e leai se faʻafitauli o le bypass plating, ma e sili atu lona lelei i le faʻatinoga o le ufiufi, ma e mafai ona faʻaaogaina mo le faʻaputuina o ata tifaga Si, Si0X, SiCX ua doped. O le faʻaletonu o le ata tifaga ua ufiufi e tele ai le hydrogen, e faigofie ona mafua ai le blistering o le ata tifaga, e faʻatapulaʻaina i le mafiafia o le ufiufi. O le tekinolosi ufiufi lpcvd e faʻaaogaina ai le ufiufi o le ogaumu paipa, faʻatasi ai ma se gafatia tele, e mafai ona faʻaputuina le ata tifaga polysilicon mafiafia, ae o le a iai se mea e siomia ai le ufiufi, i le faiga lpcvd pe a uma ona aveese le ufiufi o le ata tifaga ma e le afaina ai le vaega pito i lalo. O sela Topcon ua gaosia tele ua ausia le averesi o le lelei o le liua o le 23%.

——O lenei tusiga ua fa'asalalauina emasini ufiufi efuefuGuangdong Zhenhua