La dirección del desarrollo de la tecnología de celdas de silicio cristalino también incluye la tecnología PERT y la tecnología Topcon. Estas dos tecnologías se consideran una extensión de la tecnología de celdas de método de difusión tradicional. Sus características comunes son la capa de pasivación en la parte posterior de la celda, y ambas utilizan una capa de polisilicio dopado como campo posterior. La tecnología Topcon se utiliza principalmente en la capa oxidada a alta temperatura, y la capa de polisilicio dopado se utiliza en el método LPCVD y PECVD, etc. El PECVD tubular y el PECVD de placa plana se han utilizado en la producción en masa a gran escala de celdas PERC.
La tecnología PECVD tubular tiene una gran capacidad y generalmente utiliza una fuente de alimentación de baja frecuencia de varias decenas de kHz. El bombardeo iónico y los problemas de deposición por derivación pueden afectar la calidad de la capa de pasivación. La tecnología PECVD de placa plana no presenta el problema de la deposición por derivación y ofrece una mayor ventaja en el rendimiento del recubrimiento, pudiendo utilizarse para la deposición de películas de Si dopado, Si0X y SiCX. La desventaja radica en que la película depositada contiene una gran cantidad de hidrógeno, lo que facilita la formación de ampollas en la capa y limita el espesor del recubrimiento. La tecnología de recubrimiento LPCVD, que utiliza un horno tubular y tiene una gran capacidad, permite depositar películas de polisilicio más gruesas, aunque se produce una deposición alrededor de la capa. En el proceso LPCVD, tras la eliminación de la capa de película depositada alrededor de la capa, no se daña la capa inferior. Las células Topcon de producción en masa han alcanzado una eficiencia de conversión promedio del 23 %.
—Este artículo es publicado pormáquina de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Fecha de publicación: 22 de septiembre de 2023