La direzione dello sviluppo della tecnologia delle celle al silicio cristallino include anche la tecnologia PERT e la tecnologia Topcon. Queste due tecnologie sono considerate un'estensione della tradizionale tecnologia delle celle a diffusione. Le loro caratteristiche comuni sono uno strato di passivazione sul lato posteriore della cella e l'utilizzo di uno strato di polisilicio drogato come campo posteriore. La tecnologia PERT è utilizzata principalmente nello strato ossidato ad alta temperatura, mentre lo strato di polisilicio drogato è impiegato tramite processi come LPCVD e PECVD. PECVD tubolare e PECVD a piastra piana sono stati utilizzati nella produzione di massa su larga scala di celle PERC.
Il processo PECVD tubolare ha una grande capacità e generalmente adotta un alimentatore a bassa frequenza di alcune decine di kHz. Il bombardamento ionico e i problemi di placcatura bypass possono influire sulla qualità dello strato di passivazione. Il processo PECVD a piastra piana non presenta il problema della placcatura bypass e offre un vantaggio maggiore in termini di prestazioni di rivestimento, potendo essere utilizzato per la deposizione di film di Si drogato, SiOX e SiCX. Lo svantaggio è che il film depositato contiene molto idrogeno, che può facilmente causare la formazione di bolle, limitando lo spessore del rivestimento. La tecnologia di rivestimento LPCVD utilizza un forno tubolare, ha una grande capacità e può depositare film di polisilicio più spessi, ma si verifica una placcatura intorno allo strato depositato. Nel processo LPCVD, dopo la rimozione della placcatura intorno allo strato depositato, non si danneggia lo strato inferiore. Le celle Topcon prodotte in serie hanno raggiunto un'efficienza di conversione media del 23%.
——Questo articolo è pubblicato damacchina per rivestimento sottovuotoGuangdongZhenhua
Data di pubblicazione: 22 settembre 2023