Kristal silikon pil teknolojisi geliştirme yönü, PERT teknolojisi ve Topcon teknolojisini de içermektedir. Bu iki teknoloji, geleneksel difüzyon yöntemi pil teknolojisinin bir uzantısı olarak kabul edilir; ortak özellikleri, pilin arka tarafında pasivasyon tabakası bulunması ve her ikisinin de arka yüzey olarak katkılı polisilikon tabakası kullanmasıdır. Bu yöntemde çoğunlukla yüksek sıcaklıkta oksitlenmiş tabaka kullanılır ve katkılı polisilikon tabakası LPCVD ve PECVD gibi yöntemlerle üretilir. Tüp şeklinde PECVD ve düz plaka PECVD yöntemleri, PERC pillerinin büyük ölçekli seri üretiminde kullanılmaktadır.
Tüp tipi PECVD, yüksek kapasiteli olup genellikle birkaç on kHz'lik düşük frekanslı bir güç kaynağı kullanır. İyon bombardımanı ve bypass kaplama sorunları, pasivasyon tabakasının kalitesini etkileyebilir. Düz plaka PECVD'de bypass kaplama sorunu yoktur ve kaplama performansında daha büyük bir avantaja sahiptir; ayrıca katkılı Si, Si0X, SiCX filmlerinin biriktirilmesinde kullanılabilir. Dezavantajı ise, kaplanmış filmin çok fazla hidrojen içermesi, film tabakasında kabarcıklanmaya neden olması ve kaplama kalınlığının sınırlı olmasıdır. Tüp fırın kaplama kullanan LPCVD kaplama teknolojisi, yüksek kapasitesiyle daha kalın polisilikon film biriktirebilir, ancak etrafında kaplama meydana gelir; LPCVD işleminde film tabakasının etrafındaki kaplama çıkarıldıktan sonra alt tabakaya zarar vermez. Seri üretilen Topcon hücreleri, ortalama %23'lük bir dönüşüm verimliliğine ulaşmıştır.
—Bu makale şu kuruluş tarafından yayınlanmıştır:vakum kaplama makinesiGuangdong Zhenhua
Yayın tarihi: 22 Eylül 2023