Die Entwicklung der kristallinen Silizium-Zelltechnologie umfasst auch die PERT- und die Topcon-Technologie. Diese beiden Technologien gelten als Weiterentwicklung der traditionellen Diffusionszelltechnologie. Gemeinsames Merkmal ist die Passivierungsschicht auf der Rückseite der Zelle. Beide verwenden eine Schicht aus dotiertem Polysilizium als Rückseite. Bei der Topcon-Technologie wird meist eine Hochtemperatur-Oxidationsschicht aufgebracht, während die dotierte Polysiliziumschicht mittels LPCVD und PECVD abgeschieden wird. Für die großtechnische Massenproduktion von PERC-Zellen werden unter anderem Röhren-PECVD und Flachplatten-PECVD eingesetzt.
Die Röhren-PECVD-Technologie zeichnet sich durch hohe Kapazität aus und verwendet üblicherweise eine Niederfrequenz-Stromversorgung im Bereich von einigen zehn kHz. Ionenbeschuss und Bypass-Abscheidung können die Qualität der Passivierungsschicht beeinträchtigen. Die Flachplatten-PECVD-Technologie vermeidet Bypass-Abscheidung und bietet Vorteile hinsichtlich der Beschichtungsleistung. Sie eignet sich zur Abscheidung von dotierten Si-, Si0X- und SiCX-Schichten. Ein Nachteil ist der hohe Wasserstoffgehalt der abgeschiedenen Schicht, der zu Blasenbildung führen kann und die Schichtdicke begrenzt. Die LPCVD-Beschichtungstechnologie mit Röhrenofenbeschichtung ermöglicht die Abscheidung dickerer Polysiliziumschichten, jedoch treten auch hier Randabscheidungen auf. Diese werden im LPCVD-Prozess nach der Abscheidung entfernt, ohne die darunterliegende Schicht zu beschädigen. Serienmäßig hergestellte Topcon-Zellen erreichen einen durchschnittlichen Wirkungsgrad von 23 %.
— Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonVakuum-BeschichtungsanlageGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 22. September 2023