結晶シリコンセル技術の発展の方向には、PERT技術とTopcon技術も含まれており、これら2つの技術は、従来の拡散法セル技術の延長と見なされており、共通の特徴はセルの背面にあるパッシベーション層であり、両方ともバックフィールドとしてドープされたポリシリコン層を使用しています。学校では主に高温酸化層に使用され、ドープされたポリシリコン層はLPCVDやPECVDなどの方法で使用されます。管状PECVDと管状PECVDおよび平板PECVDは、PERCセルの大規模量産に使用されています。
管状PECVDは容量が大きく、通常は数十kHzの低周波電源を採用しています。イオン衝撃やバイパスめっきの問題は、パッシベーション層の品質に影響を与える可能性があります。平板PECVDはバイパスめっきの問題がなく、コーティング性能の点でより大きな利点があり、ドープされたSi、SiOX、SiCX膜の堆積に使用できます。欠点は、めっき膜に多くの水素が含まれ、膜層のふくれが発生しやすく、コーティングの厚さが制限されることです。管状炉コーティングを使用するLPCVDコーティング技術は、容量が大きく、より厚いポリシリコン膜を堆積できますが、周囲にめっきが発生します。LPCVDプロセス中に膜層の周囲にめっきが除去され、下層が損傷することはありません。量産されたTopconセルは平均23％の変換効率を達成しています。
——この記事は真空コーティング機広東振華
投稿日時: 2023年9月22日