Jóngeislaúðunarhúðun og jóngeislaetsun

1. Jóngeislaúðunarhúðun

Yfirborð efnisins verður fyrir sprengjuárás með miðlungsorku jóngeisla og orka jónanna fer ekki inn í kristalgrind efnisins heldur flytur orkuna til markatómanna, sem veldur því að þau spútra frá yfirborði efnisins og mynda síðan þunna filmu með því að setja hana á vinnustykkið. Vegna spúttunar sem jóngeislinn framleiðir er orka spúttuðu filmulagsatómanna mjög mikil og markefnið verður fyrir sprengjuárás með jóngeislanum í miklu lofttæmi. Hreinleiki filmulagsins er mikill og hægt er að setja hágæða filmur á, á meðan stöðugleiki jóngeislafilmulagsins batnar, sem getur náð þeim tilgangi að bæta sjónræna og vélræna eiginleika filmulagsins. Tilgangur jóngeislaspúttunar er að mynda ný þunnfilmuefni.

2. Jóngeislaetsun

Jóngeislaetsun er einnig miðlungsorku jóngeislasprengja á yfirborð efnisins til að framleiða spúttunaráhrif á undirlagið, er hálfleiðaratæki, ljósleiðaratæki og önnur svið framleiðslu á grafíkkjarnatækni. Undirbúningstækni fyrir flísar í hálfleiðara samþættum hringrásum felur í sér undirbúning milljóna smára á einkristalla kísilþynnu með þvermál Φ12 tommur (Φ304,8 mm). Hver smári er smíðaður úr mörgum lögum af þunnum filmum með mismunandi virkni, sem samanstendur af virku lagi, einangrunarlagi, einangrunarlagi og leiðandi lagi. Hvert virkt lag hefur sitt eigið mynstur, þannig að eftir að hvert lag af virkri filmu er húðað þarf að etsa burt ónothæfu hlutana með jóngeisla, þannig að gagnlegu filmuhlutirnir eru ósnortnir. Nú á dögum hefur vírbreidd flísarinnar náð 7 mm, og jóngeislaetsun er nauðsynleg til að undirbúa slíkt fínt mynstur. Jóngeislaetsun er þurr etsunaraðferð með mikilli etsnákvæmni samanborið við blaut etsunaraðferðina sem notuð var í upphafi.

Jóngeislaetsunartækni er til staðar með óvirkum jóngeislaetsun og virkum jóngeislaetsun. Sú fyrri, með argonjóngeislaetsun, tilheyrir eðlisfræðilegum viðbrögðum; sú síðari með flúorjóngeislaspútrun, sem auk mikillar orku myndar flúorjóngeisla sem flutningsvirkni, og flúorjóngeislinn getur einnig verið etsaður með SiO2.₂Sí₃N4, GaAs, W og aðrar þunnfilmur hafa efnahvörf, sem eru bæði eðlisfræðileg viðbrögð og efnahvörf með jóngeislaetsunartækni, sem gerir etshraðann hraður. Ætandi lofttegundir við etsun eru CF₄C₂F₆CCl4, BCl₃o.s.frv., mynduðu hvarfefnin fyrir SiF₄SiCl₄GCl₃;、og WF₆ þar sem ætandi lofttegundir eru sogaðar út. Jóngeislaetsunartækni er lykiltæknin til að framleiða hátæknivörur.

–Þessi grein er gefin út afframleiðandi tómarúmhúðunarvélaGuangdong Zhenhua