In generale, e reazioni CVD si basanu nantu à temperature elevate, dunque si chjama deposizione chimica da vapore eccitata termicamente (TCVD). Generalmente usa precursori inorganici è hè realizata in reattori à parete calda è à parete fredda. I so metudi riscaldati includenu u riscaldamentu à radiofrequenza (RF), u riscaldamentu à radiazione infrarossa, u riscaldamentu à resistenza, ecc.
Deposizione chimica di vapore à parete calda
In realtà, u reattore di deposizione chimica da vapore à parete calda hè un fornu termostaticu, generalmente riscaldatu cù elementi resistivi, per una pruduzzione intermittente. U disegnu di un impianto di pruduzzione di deposizione chimica da vapore à parete calda per u rivestimentu di strumenti di chip hè mostratu quì sottu. Questa deposizione chimica da vapore à parete calda pò rivestire TiN, TiC, TiCN è altri film sottili. U reattore pò esse cuncipitu per esse abbastanza grande da cuntene un gran numeru di cumpunenti, è e cundizioni ponu esse cuntrullate assai precisamente per a deposizione. A figura 1 mostra un dispositivu à stratu epitassiale per u dopaggio di siliciu di a pruduzzione di dispositivi à semiconduttori. U substratu in u fornu hè piazzatu in una direzzione verticale per riduce a contaminazione di a superficia di deposizione da e particelle, è aumentà assai u caricu di pruduzzione. I reattori à parete calda per a pruduzzione di semiconduttori sò generalmente operati à basse pressioni.
Data di publicazione: 8 di nuvembre di u 2022