A sputtering hè un fenomenu in u quale e particelle energetiche (di solitu ioni pusitivi di gas) colpiscenu a superficia di un solidu (chjamatu quì sottu u materiale di destinazione), pruvucendu a fuga di l'atomi (o molecule) nantu à a superficia di u materiale di destinazione.
Stu fenomenu hè statu scupertu da Grove in u 1842 quandu u materiale di u catodu hè statu migratu versu u muru di un tubu à vuoto durante un esperimentu per studià a currusione catodica. Stu metudu di sputtering in a deposizione di u sustratu di film sottili hè statu scupertu in u 1877, per via di l'usu di stu metudu di deposizione di film sottili in e prime fasi di a velocità di sputtering hè bassa, a velocità di u film lenta, deve esse stallatu in u dispusitivu di alta pressione è passà in u gas affettivu è altri una seria di prublemi, dunque u sviluppu hè assai lentu è quasi eliminatu, solu in i metalli preziosi chimicamente reattivi, metalli refrattarii, dielettrici è cumposti chimichi, materiali nantu à un picculu numeru di applicazioni. Finu à l'anni 1970, per via di l'emergenza di a tecnulugia di sputtering magnetron, u rivestimentu di sputtering hè statu sviluppatu rapidamente, cuminciò à entre in a rinascita di a strada. Questu hè perchè u metudu di sputtering di magnetron pò esse custrettu da u campu elettromagneticu ortogonale nantu à l'elettroni, aumentendu a probabilità di collisione di elettroni è molecule di gas, micca solu riduce a tensione aghjunta à u catodu, è migliurà a velocità di sputtering di ioni pusitivi nantu à u catodu di destinazione, riducendu a probabilità di bombardamentu di elettroni nantu à u substratu, riducendu cusì a so temperatura, cù una "alta velocità, bassa temperatura E duie caratteristiche principali di "alta velocità è bassa temperatura".
À l'anni 1980, ancu s'ellu hè apparsu solu una decina d'anni fà, si distingue da u laburatoriu, veramente in u campu di a pruduzzione di massa industrializzata. Cù l'ulteriore sviluppu di a scienza è di a tecnulugia, in l'ultimi anni in u campu di u rivestimentu per sputtering è l'introduzione di u sputtering miglioratu da u fasciu di ioni, l'usu di un fasciu largu di una fonte di ioni di corrente forte cumminata cù a modulazione di u campu magneticu, è cù a cumminazione di u sputtering di dipolo cunvinziunale cumpostu da un novu modu di sputtering; è serà l'introduzione di l'alimentazione elettrica à corrente alternata di frequenza intermedia à a fonte di u bersagliu di sputtering magnetron. Sta tecnulugia di sputtering magnetron AC à media frequenza, chjamata sputtering à dui bersagli, ùn solu elimina l'effettu di "sparizione" di l'anodu, ma risolve ancu u prublema di "avvelenamentu" di u catodu, chì migliora assai a stabilità di u sputtering magnetron, è furnisce una basa solida per a pruduzzione industrializzata di film sottili cumposti. Questu hà migliuratu assai a stabilità di u sputtering magnetron è hà furnitu una basa solida per a pruduzzione industrializzata di film sottili cumposti. In l'ultimi anni, u rivestimentu per sputtering hè diventatu una tecnulugia emergente di preparazione di film, attiva in u campu di a tecnulugia di rivestimentu per vuoto.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 05 dicembre 2023