1. Rivestimentu di sputtering à fasciu ionicu
A superficia di u materiale hè bombardata cù un fasciu di ioni di media energia, è l'energia di l'ioni ùn entra micca in a rete cristallina di u materiale, ma trasferisce l'energia à l'atomi di destinazione, pruvucendu li à sputtering luntanu da a superficia di u materiale, è dopu formanu una pellicola fina per deposizione nantu à a pezza. A causa di a sputtering prodotta da u fasciu di ioni, l'energia di l'atomi di u stratu di pellicola sputterizzata hè assai alta, è u materiale di destinazione hè bombardatu cù u fasciu di ioni in un altu vacuum, a purità di u stratu di pellicola hè alta, è si ponu deposità pellicole di alta qualità, mentre chì a stabilità di u stratu di pellicola di u fasciu di ioni hè migliorata, ciò chì pò ottene u scopu di migliurà e proprietà ottiche è meccaniche di u stratu di pellicola. U scopu di a sputtering di u fasciu di ioni hè di furmà novi materiali di pellicola fina.
2. Incisione à fasciu ionicu
L'incisione à fasciu ionicu hè ancu un bumbardamentu à fasciu ionicu di media energia di a superficia di u materiale per pruduce sputtering, effettu d'incisione nantu à u sustratu, hè un dispositivu semiconduttore, dispositivi optoelettronici è altre aree di a pruduzzione di tecnulugia di core graficu. A tecnulugia di preparazione per i chip in circuiti integrati semiconduttori implica a preparazione di milioni di transistor nantu à una fetta di siliciu monocristallina cù un diametru di Φ12in (Φ304.8mm). Ogni transistor hè custruitu da parechji strati di film sottili cù diverse funzioni, custituiti da un stratu attivu, un stratu isolante, un stratu d'isolamentu è un stratu conduttivu. Ogni stratu funzionale hà u so propiu mudellu, dunque dopu chì ogni stratu di film funzionale hè placcatu, e parti inutili devenu esse incise cù un fasciu ionicu, lascendu i cumpunenti utili di u film intatti. Oghje, a larghezza di u filu di u chip hà righjuntu 7mm, è l'incisione à fasciu ionicu hè necessaria per preparà un mudellu cusì fine. L'incisione à fasciu ionicu hè un metudu d'incisione secca cù una alta precisione d'incisione paragunata à u metudu d'incisione umida utilizatu à l'iniziu.
A tecnulugia di incisione à fasciu ionicu hà dui tipi di incisione à fasciu ionicu inattivu è incisione à fasciu ionicu attivu. A prima, cù incisione à fasciu ionicu d'argon, appartene à a reazione fisica; a seconda, cù sputtering à fasciu di ioni di fluoru, chì produce un fasciu di ioni di fluoru à alta energia, è pò ancu esse incisu cù SiO2.2Sì3N4, GaAs, W è altri filmi fini anu una reazione chimica, hè sia u prucessu di reazione fisica, sia u prucessu di reazione chimica di a tecnulugia di incisione à fasciu ionicu, a velocità di incisione hè rapida. I gasi currusivi di incisione di reazione sò CF4C2F6CCl4 BCl3, ecc., i reagenti generati per SiF4SiCl4GCl3; è WF6 sò gasi currusivi estratti. A tecnulugia di incisione à fasciu ionicu hè a tecnulugia chjave per pruduce prudutti d'alta tecnulugia.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 24 d'ottobre di u 2023