(3) CVD à Plasma à Radiofrequenza (RFCVD) A RF pò esse aduprata per generà plasma per dui metudi diversi, u metudu di accoppiamentu capacitivu è u metudu di accoppiamentu induttivu. A CVD à plasma RF usa una frequenza di 13,56 MHz. U vantaghju di u plasma RF hè chì si diffonde nantu à una zona assai più grande di quella di u plasma à microonde. Tuttavia, a limitazione di u plasma accoppiatu capacitivamente RF hè chì a frequenza di u plasma ùn hè micca ottima per u sputtering, soprattuttu se u plasma cuntene argon. U plasma accoppiatu capacitivamente ùn hè micca adattatu per a crescita di film di diamanti di alta qualità postu chì u bombardamentu ionicu da u plasma pò purtà à danni gravi à u diamante. I film di diamanti policristallini sò stati cultivati aduprendu plasma induttu da RF in cundizioni di deposizione simili à a CVD à plasma à microonde. Film di diamanti epitassiali omogenei sò stati ancu ottenuti aduprendu CVD miglioratu da plasma induttu da RF.
(4) CVD à plasma DC
U plasma DC hè un altru metudu per attivà una fonte di gas (generalmente una mistura di H2, è gasu d'idrocarburi) per a crescita di film di diamanti. A CVD assistita da plasma DC hà a capacità di fà cresce grandi zone di film di diamanti, è a dimensione di a zona di crescita hè limitata solu da a dimensione di l'elettrodi è da l'alimentazione DC. Un altru vantaghju di a CVD assistita da plasma DC hè a furmazione di una iniezione DC, è i film di diamanti tipici ottenuti da questu sistema sò depositati à una velocità di 80 mm/h. Inoltre, postu chì diversi metudi d'arcu DC ponu deposità film di diamanti di alta qualità nantu à substrati senza diamanti à alte velocità di deposizione, furniscenu un metudu cummercializabile per a deposizione di film di diamanti.
(5) Deposizione chimica di vapore rinfurzata da plasma di microonde à risonanza ciclotronica elettronica (ECR-MPECVD) U plasma DC, u plasma RF è u plasma à microonde descritti prima dissocianu è decomponenu tutti H2, o idrocarburi, in idrogenu atomicu è gruppi atomici di carboniu-idrogenu, cuntribuendu cusì à a furmazione di film sottili di diamante. Siccomu u plasma di risonanza ciclotronica elettronica pò pruduce plasma d'alta densità (> 1x1011 cm-3), l'ECR-MPECVD hè più adattatu per a crescita è a deposizione di film di diamante. Tuttavia, per via di a bassa pressione di gas (da 10-4 à 10-2 Torr) aduprata in u prucessu ECR, chì si traduce in una bassa velocità di deposizione di film di diamante, u metudu hè attualmente adattatu solu per a deposizione di film di diamante in laburatoriu.
–Questu articulu hè statu publicatu da u fabricatore di macchine di rivestimentu à vuoto Guangdong Zhenhua
Data di publicazione: 19 di ghjugnu 2024