Фильмнарны урнаштыру өчен вакуум парга әйләнү ысулының төп үзенчәлеге - чүпләнү дәрәҗәсе. Спутинг ысулының төп үзенчәлеге - булган кино материалларының киң ассортименты һәм кино катламының яхшы бердәмлеге, ләкин чүпләү дәрәҗәсе түбән. Ион каплау - бу ике процессны берләштергән ысул.
Ион каплау принцибы һәм кино формалаштыру шартлары
Ион каплауның эш принцибы Пикта күрсәтелгән. Вакуум камерасы 10-4 Па астындагы басымга җибәрелә, аннары инерт газы белән тутырыла (мәсәлән, аргон) 0,1 ~ 1 Па басымына. Субстратка 5 кВ га кадәр тискәре DC көчәнеше кулланылганнан соң, субстрат белән кристалл арасында түбән басымлы газ ялтыравыклы плазма зонасы булдырыла. Инерт газ ионнары электр кыры белән тизләштерелә һәм субстрат өслеген бомбардировать итәләр, шулай итеп эш кисәген чистарталар. Бу чистарту процессы тәмамлангач, каплау процессы кристаллда капланырга тиешле материалның парлануы белән башлана. Парланган пар кисәкчәләре плазма зонасына керәләр һәм аерылган инерт позитив ионнар һәм электроннар белән бәрелешәләр, һәм пар кисәкчәләренең кайберләре аерылып, электр кыры тизләнеше астында эш кисәген һәм каплау өслеген бомбага тоталар. Ион белән каплау процессында чүпләнү генә түгел, ә субстратта уңай ионнарның чәчелүе дә бар, шуңа күрә нечкә пленка чүпләү эффекты бөтерелү эффектыннан зуррак булганда гына барлыкка килергә мөмкин.
Ион каплау процессы, субстрат һәрвакыт югары энергияле ионнар белән бомбардирланган, бик чиста һәм бөтерелү һәм парга әйләнү белән чагыштырганда берничә өстенлеге бар.
(1) Көчле ябышу, каплау катламы җиңел суырылмый.
а) Ион каплау процессында, күп балкып торган зур энергия кисәкчәләре субстрат өслегендә катодик бөтерелү эффекты ясау өчен, субстрат өслегенә кушылган газны һәм майны чистарту һәм бөтен каплау процессы тәмамланганчы чистарту өчен кулланыла.
б) Кино нигезенең интерфейсында компонентларның күчү катламын яки кино материалы һәм төп материал катнашмасын формалаштыра ала торган каплау, бөтерелү һәм чүпләү бергә яши, бу фильмның ябышу эффективлыгын яхшырта ала.
(2) Яхшы әйберләр. Бер сәбәбе - каплау материалы атомнары югары басым астында ионлаштырыла һәм субстратка барып җитү процессында берничә тапкыр газ молекулалары белән бәрелешә, шулай итеп каплау материалы ионнары субстрат тирәсендә таралырга мөмкин. Моннан тыш, ионлаштырылган каплау материалы атомнары субстрат өслегендә электр кыры тәэсирендә урнаштырыла, шуңа күрә бөтен субстрат нечкә пленка белән урнаштырыла, ләкин парлану каплавы бу эффектка ирешә алмый.
3.
(4) Металл яки металл булмаган материалларга каплау материалларының һәм субстратларның киң сайлануы капланырга мөмкин.
(5) Химик пар парламенты (CVD) белән чагыштырганда, аның түбән субстрат температурасы бар, гадәттә 500 ° C-тан түбән, ләкин аның ябышу көче химик пар парламенты фильмнары белән тулысынча чагыштырыла.
(6) Depгары чокыр тизлеге, тиз фильм формалашуы, һәм дистәләрчә нанометрдан микронга кадәр фильмнарның калынлыгы капланырга мөмкин.
Ион каплауның кимчелекләре: фильм калынлыгын төгәл контрольдә тотып булмый; нечкә каплау кирәк булганда кимчелекләр концентрациясе югары; һәм газлар каплау вакытында өслеккә керәчәк, бу өслекнең үзлекләрен үзгәртәчәк. Кайбер очракларда куышлыклар һәм ядрәләр (1 нмнан да азрак) барлыкка килә.
Чүпләү дәрәҗәсенә килгәндә, ион каплау парга әйләнү ысулы белән чагыштырыла. Фильм сыйфатына килгәндә, ион каплавы белән җитештерелгән фильмнар бөтерелү белән әзерләнгәнгә караганда якынрак яки яхшырак.
Пост вакыты: Ноябрь-08-2022