Uiga o le maneta fa'afefeteina fa'amaneta Mataupu 2

Uiga o le maneta sputtering coating

(3) Sputtering maualalo le malosi. Ona o le eletise maualalo cathode faʻaaogaina i le sini, o loʻo fusifusia le plasma e le mageta i le avanoa e lata ane i le cathode, ma faʻapea ona faʻalavelaveina le maualuga o le malosi o loʻo molia i le itu o le tagata substrate fana. O le mea lea, o le maualuga o le faʻaleagaina o le substrate e pei o masini semiconductor e mafua mai i le tuʻuina atu o vaega laiti e maualalo ifo nai lo le mafuaʻaga o isi auala faʻafefe.

(4) Maualalo substrate vevela. Magnetron sputtering fua faatatau sputtering e maualuga, ona o le sini cathode i le maneta fanua i totonu o le itulagi, o lona uiga, o le taulaiga o le ala savali i totonu o se vaega itiiti localized o le electron concentration e maualuga, ae i le aafiaga mageta i fafo atu o le itulagi, aemaise lava le mamao mai le maneta o le substrate i luga o lata ane, o le electron concentration ona o le taape o le sili atu le maualalo, ma e mafai foi ona maualalo ifo le mamafa o le kasa i le va o le kasa galue. o se faasologa o le tele). O le mea lea, i lalo o le magnetron sputtering tulaga, o le faʻatonuga o electrons bombarding i luga o le substrate e sili atu le maualalo nai lo le sputtering diode masani, ma o se siitaga tele i le vevela substrate e aloese mai le faaitiitia o le numera o electrons mea na tutupu i luga o le substrate. E le gata i lea, i le metotia o le magnetron sputtering, o le anode o le magnetron sputtering device e mafai ona tu i tafatafa o le cathode, ma e mafai foi ona le faʻaaogaina le mea e uu ai le substrate ma i le mafai ona taofia, ina ia le mafai e le eletise ona pasia le mea faʻapipiʻi eleelea ma tafe atu i totonu o le anode, ma faʻapupulaina ai le eletise eletise maualuga i le faʻaitiitia o le vevela o le eletise, ma faʻaitiitia ai le vevela. tele attenuating le pomu eletise lona lua o le substrate e mafua ai le gaosiga o le vevela.

(5) Uiga le tutusa o le sini. I le taulaiga sputtering magnetron masani, o le faaaogaina o se fanua maneta le tutusa, o lea o le a maua ai e le plasma se aafiaga convergence i le lotoifale, o le a faia le taulaiga i luga o le tulaga i le lotoifale o le fua faatatau etching sputtering e sili, o le taunuuga o le a maua ai le taulaiga etching le tutusa taua. Ole fua ole fa'aogaina ole fa'amoemoe e masani lava ile 30%. Ina ia faʻaleleia le faʻaogaina o le faʻaogaina o mea faʻatatau, e mafai ona e faia ni faiga faʻaleleia eseese, e pei o le faʻaleleia o foliga ma le tufatufaina atu o le faʻaogaina o le maneta, ina ia mafai ai e le maneta i totonu o le cathode sini faʻamalosi totonu ma isi.

Fa'afaigata i le fa'aosoina o mea fa'amaneta. Afai o le sputtering target e faia i se mea e maualuga le maneta permeability, o laina maneta o le malosi o le a pasi saʻo i totonu o le taulaʻiga e tupu ai se faʻataʻitaʻiga puʻupuʻu mageta, ma faʻafaigata ai le alu ese o le magnetron. Ina ia mafai ona faʻatupuina le avanoa mageta, ua faia e tagata ni suʻesuʻega eseese, mo se faʻataʻitaʻiga, e saturate le mageta i totonu o le mea faʻatatau, ma tuʻu ai le tele o avanoa i le sini e faʻalauteleina ai le faʻatupuina o le tele o le leakage o le faʻatupulaia o le vevela, poʻo le faʻaitiitia o le faʻaogaina o le mea faʻatatau.

–O lenei tusiga ua tatalaina emasini fa'apipi'i gaogao gaosimeaGuangdong Zhenhua