د ایون کوټینګ ټیکنالوژي

د فلمونو د زیرمه کولو لپاره د خلا د تبخیر میتود اصلي ځانګړتیا د زیرمه کولو لوړه کچه ده. د سپټرینګ میتود اصلي ځانګړتیا د شته فلم موادو پراخه لړۍ او د فلم طبقې ښه یووالي ده، مګر د زیرمه کولو کچه ټیټه ده. د آیون کوټینګ یوه طریقه ده چې دا دوه پروسې سره یوځای کوي.

د ایون کوټینګ اصل او د فلم جوړونې شرایط
د ایون کوټینګ کاري اصل په انځور کې ښودل شوی دی. د ویکیوم چیمبر د 10-4 Pa څخه ښکته فشار ته پمپ کیږي، او بیا د غیر فعال ګاز (د مثال په توګه ارګون) څخه ډک کیږي ترڅو د 0.1 ~ 1 Pa فشار ته ورسیږي. وروسته له دې چې تر 5 kV پورې منفي DC ولټاژ په سبسټریټ باندې پلي شي، د سبسټریټ او کروسیبل ترمنځ د ټیټ فشار ګاز ګلو خارجولو پلازما زون رامینځته کیږي. د غیر فعال ګاز ایونونه د بریښنایی ساحې لخوا ګړندي کیږي او د سبسټریټ سطح بمباري کوي، پدې توګه د ورک پیس سطح پاکوي. د دې پاکولو پروسې بشپړیدو وروسته، د کوټینګ پروسه د هغه موادو بخارۍ سره پیل کیږي چې په کروسیبل کې پوښل کیږي. بخار شوي بخار ذرات د پلازما زون ته ننوځي او د جلا شوي غیر فعال مثبت ایونونو او الکترونونو سره ټکر کوي، او ځینې بخار ذرات جلا کیږي او د بریښنایی ساحې د سرعت لاندې د ورک پیس او کوټینګ سطح بمباري کوي. د ایون پلیټینګ په پروسه کې، نه یوازې جمع کول بلکې په سبسټریټ کې د مثبت ایونونو تویول هم شتون لري، نو پتلی فلم یوازې هغه وخت رامینځته کیدی شي کله چې د جمع کولو اغیز د تویولو اغیز څخه ډیر وي.

د ایون کوټینګ پروسه، په کوم کې چې سبسټریټ تل د لوړ انرژي ایونونو سره بمبار کیږي، خورا پاک دی او د سپټرینګ او تبخیر کوټینګ په پرتله یو شمیر ګټې لري.

(۱) قوي چپکونکی، د پوښ طبقه په اسانۍ سره نه خلاصیږي.
(الف) د ایون کوټینګ په پروسه کې، د ګلو خارجیدو له امله رامینځته شوي د لوړ انرژۍ ذراتو لوی شمیر د سبسټریټ په سطحه د کیتوډیک سپټرینګ اغیز تولیدولو لپاره کارول کیږي، د سبسټریټ په سطحه جذب شوي ګاز او غوړ تویوي او پاکوي ترڅو د سبسټریټ سطح پاک کړي تر هغه چې د کوټینګ ټوله پروسه بشپړه شي.
(ب) د پوښ کولو په لومړیو مرحلو کې، تویول او جمع کول یوځای شتون لري، کوم چې کولی شي د فلم اساس په انٹرفیس کې د اجزاو انتقالي طبقه یا د فلم موادو او اساس موادو مخلوط جوړ کړي، چې د "سیوډو-ډیفیوژن طبقه" په نوم یادیږي، کوم چې کولی شي په مؤثره توګه د فلم د چپکولو فعالیت ښه کړي.
(۲) د پوښ کولو ښه ځانګړتیاوې. یو دلیل یې دا دی چې د پوښ کولو موادو اتومونه د لوړ فشار لاندې ایونیز کیږي او د سبسټریټ ته د رسیدو په جریان کې څو ځله د ګاز مالیکولونو سره ټکر کوي، ترڅو د پوښ کولو موادو ایونونه د سبسټریټ شاوخوا خپاره شي. سربیره پردې، د آیونیز شوي پوښ کولو موادو اتومونه د بریښنایی ساحې د عمل لاندې د سبسټریټ په سطحه زیرمه کیږي، نو ټول سبسټریټ د پتلي فلم سره زیرمه کیږي، مګر د تبخیر کوټینګ دا اغیز نشي ترلاسه کولی.
(۳) د کوټینګ لوړ کیفیت د کنډنسیټونو د توییدو له امله دی چې د مثبت ایونونو سره د زیرمه شوي فلم د دوامداره بمبارۍ له امله رامینځته کیږي، کوم چې د کوټینګ پرت کثافت ښه کوي.
(۴) د کوټینګ موادو او سبسټریټونو پراخه انتخاب په فلزي یا غیر فلزي موادو پوښل کیدی شي.
(۵) د کیمیاوي بخاراتو د جمع کولو (CVD) په پرتله، دا د سبسټریټ ټیټ تودوخه لري، معمولا د 500 درجو سانتي ګراد څخه ښکته، مګر د هغې د چپکولو ځواک په بشپړ ډول د کیمیاوي بخاراتو د جمع کولو فلمونو سره پرتله کیدونکی دی.
(۶) د لوړ جمع کولو کچه، د فلم چټک جوړښت، او د لسګونو نانومیټرو څخه تر مایکرون پورې د فلمونو ضخامت پوښلی شي.

د ایون کوټینګ زیانونه دا دي: د فلم ضخامت په دقیق ډول نشي کنټرول کیدی؛ د نیمګړتیاوو غلظت لوړ وي کله چې ښه کوټینګ ته اړتیا وي؛ او ګازونه به د کوټینګ پرمهال سطحې ته ننوځي، کوم چې به د سطحې ځانګړتیاوې بدلې کړي. په ځینو مواردو کې، غارونه او نیوکلی (له 1 nm څخه کم) هم جوړیږي.

د جمع کولو د اندازې په اړه، د ایون پوښښ د تبخیر طریقې سره د پرتلې وړ دی. د فلم کیفیت په اړه، د ایون پوښښ لخوا تولید شوي فلمونه د سپټرینګ لخوا چمتو شوي فلمونو ته نږدې یا غوره دي.