ほとんどの化学元素は、化学基と結合することで気化させることができます。例えば、SiはHと反応してSiH4を形成し、AlはCH3と結合してAl(CH3)を形成します。熱CVDプロセスでは、上記のガスは加熱された基板を通過する際に一定量の熱エネルギーを吸収し、CH3やAL(CH3)2などの反応性基を形成します。その後、これらのガスは互いに結合して反応性基を形成し、それが基板上に堆積します。続いて、これらのガスは互いに結合して薄膜として堆積します。PECVDの場合、プラズマ中の電子、高エネルギー粒子、および気相分子の衝突が、これらの反応性化学基を形成するために必要な活性化エネルギーを提供します。
PECVDの利点は主に以下の点にある。
（１）従来の化学気相成長法に比べてプロセス温度が低い。これは主に、従来の加熱活性化ではなく、反応性粒子のプラズマ活性化によるものである。
（２）従来のCVDと同様に、膜層の良好なラップアラウンドめっきが可能。
（３）フィルム層の組成を広範囲にわたって任意に制御できるため、多層膜を容易に得ることができる。
（４）高周波／低周波混合技術によりフィルム応力を制御できる。
–この記事は以下によって公開されています真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時：2024年4月18日