Die meisten chemischen Elemente lassen sich durch die Verbindung mit chemischen Gruppen verdampfen, z. B. reagiert Silicium mit Wasserstoff zu SiH₄ und Aluminium mit Methan zu Al(CH₃). Beim thermischen CVD-Verfahren absorbieren die genannten Gase beim Durchströmen des erhitzten Substrats eine bestimmte Menge an Wärmeenergie und bilden reaktive Gruppen wie CH₃ und Al(CH₃)₂. Diese reagieren dann miteinander und lagern sich als dünne Schichten auf dem Substrat ab. Beim PECVD-Verfahren liefert die Kollision von Elektronen, energiereichen Teilchen und Gasmolekülen im Plasma die Aktivierungsenergie, die zur Bildung dieser reaktiven chemischen Gruppen benötigt wird.
Die Vorteile der PECVD liegen hauptsächlich in folgenden Aspekten:
(1) Niedrigere Prozesstemperatur im Vergleich zur herkömmlichen chemischen Gasphasenabscheidung, was hauptsächlich auf die Plasmaaktivierung der reaktiven Partikel anstelle der herkömmlichen Heizaktivierung zurückzuführen ist;
(2) Wie bei der herkömmlichen CVD-Beschichtung, gute Rundumplattierung der Filmschicht;
(3) Die Zusammensetzung der Filmschicht kann weitgehend beliebig gesteuert werden, wodurch die Herstellung von Mehrschichtfilmen erleichtert wird.
(4) Die Filmspannung kann durch Hoch-/Niederfrequenzmischtechnologie kontrolliert werden.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 18. April 2024