Күпчелек химик элементларны химик төркемнәр белән кушып парга әйләндерергә мөмкин, мәсәлән, Si H белән реакциягә кереп, SiH4 барлыкка китерә, ә Al CH3 белән кушылып Al(CH3) барлыкка китерә. Термик CVD процессында, югарыдагы газлар җылытылган субстрат аша үткәндә билгеле бер күләмдә җылылык энергиясен сеңдерәләр һәм CH3 һәм AL(CH3)2 кебек реактив төркемнәр барлыкка китерәләр. Аннары алар бер-берсе белән кушылып реактив төркемнәр барлыкка китерәләр, алар субстратка урнаштырыла. Аннары алар бер-берсе белән кушыла һәм юка пленкалар рәвешендә урнаша. PECVD очрагында, плазмадагы электроннарның, энергетик кисәкчәләрнең һәм газ фазасы молекулаларының бәрелешүе бу реактив химик төркемнәрне формалаштыру өчен кирәкле активлаштыру энергиясен бирә.
PECVD өстенлекләре, нигездә, түбәндәге аспектларда:
(1) Гадәти химик пар белән каплау белән чагыштырганда, процесс температурасы түбәнрәк, бу, нигездә, гадәти җылыту активлаштыруы урынына реактив кисәкчәләрнең плазмада активлашуы белән бәйле;
(2) Гадәти CVD кебек үк, пленка катламын яхшы каплау;
(3) Пленка катламының составын зур дәрәҗәдә теләсә нинди рәвештә контрольдә тотарга мөмкин, бу күп катламлы пленкалар алуны җиңеләйтә;
(4) Пленкадагы көчәнешне югары/түбән ешлыклы катнаштыру технологиясе ярдәмендә контрольдә тотарга мөмкин.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 18 апреле