ほとんどの化学元素は、化学基と結合することで気化します。例えば、SiはHと反応してSiH4を形成し、AlはCH3と結合してAl(CH3)を形成します。熱CVDプロセスでは、上記のガスは加熱された基板を通過する際に一定量の熱エネルギーを吸収し、CH3やAL(CH3)2などの反応性基を形成します。その後、これらのガスは互いに結合して反応性基を形成し、基板上に堆積します。その後、これらのガスは互いに結合して薄膜として堆積されます。PECVDの場合、プラズマ中の電子、高エネルギー粒子、気相分子の衝突によって、これらの反応性化学基を形成するために必要な活性化エネルギーが得られます。
PECVD の利点は主に次の点にあります。
（１）従来の化学気相成長法に比べてプロセス温度が低い。これは主に、従来の加熱活性化ではなく、反応性粒子のプラズマ活性化によるものである。
（２）従来のCVDと同様に、膜層の包み込みめっきが良好である。
（３）フィルム層の組成を広範囲に任意に制御できるため、多層フィルムを得ることが容易である。
（４）高周波・低周波混合技術により膜応力を制御できる。
–この記事は真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時: 2024年4月18日