ダイレクトイオンビームデポジション（DIB）は、イオンビームアシストデポジション（IBD）の一種です。DIBは質量分離を行わないイオンビームデポジションです。この技術は、イオン源のカソードとアノードの主要部分が炭素でできているという原理に基づき、1971年にダイヤモンドライクカーボン（DLC）膜の製造に初めて使用されました。
感応ガスを放電室に導入し、外部磁場を加えることで低圧条件下でプラズマ放電を発生させ、電極におけるイオンのスパッタリング効果を利用して炭素イオンを生成します。同時にプラズマ中の炭素イオンと高密度イオンが堆積室に誘導され、基板に印加される負バイアス圧力によって加速され、基板上に噴射されます。
試験結果によると、50～100eVのエネルギーを持つ炭素イオンは、部屋常温、Si、NaCI、KCI、Niなどの基板上で透明なダイヤモンド状炭素膜を作製します。抵抗率は10Ω・cmと高く、屈折率は約2で、無機酸や有機酸には溶けず、硬度が非常に高いです。
——この記事は真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時: 2023年8月31日