Pemendapan pancaran ion langsung ialah sejenis pemendapan berbantukan pancaran ion. Pemendapan pancaran ion langsung ialah pemendapan pancaran ion yang tidak dipisahkan jisim. Teknik ini mula-mula digunakan untuk menghasilkan filem karbon seperti berlian pada tahun 1971, berdasarkan prinsip bahawa bahagian utama katod dan anod sumber ion diperbuat daripada karbon.
Gas deria dibawa masuk ke dalam ruang nyahcas, dan medan magnet luaran ditambah untuk menyebabkan nyahcas plasma di bawah keadaan tekanan rendah, bergantung pada kesan percikan ion pada elektrod untuk menghasilkan ion karbon. Ion karbon dan ion tumpat dalam plasma diinduksi ke dalam ruang pemendapan pada masa yang sama, dan ia dipercepatkan untuk disuntik ke atas substrat disebabkan oleh tekanan bias negatif pada substrat.
Keputusan ujian menunjukkan bahawa ion karbon dengan tenaga 50~100eV padabiliksuhu, dalam Si, NaCI, KCI, Ni dan substrat lain pada penyediaan filem karbon seperti berlian lutsinar, kerintangan setinggi 10Q-cm, indeks biasan kira-kira 2, tidak larut dalam asid tak organik dan organik, mempunyai kekerasan yang sangat tinggi.
——Artikel ini dikeluarkan olehpengeluar mesin salutan vakumGuangdong Zhenhua
Masa siaran: 31 Ogos 2023