การตกตะกอนด้วยลำไอออนโดยตรง (Direct ion beam deposition) เป็นวิธีการตกตะกอนแบบใช้ลำไอออนช่วยชนิดหนึ่ง โดยเป็นการตกตะกอนด้วยลำไอออนที่ไม่แยกมวล เทคนิคนี้ถูกนำมาใช้ครั้งแรกในการผลิตฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรในปี 1971 โดยอาศัยหลักการที่ว่าส่วนหลักของแคโทดและแอโนดของแหล่งกำเนิดไอออนทำจากคาร์บอน
ก๊าซที่ไวต่อการเปลี่ยนแปลงจะถูกส่งเข้าไปในห้องปล่อยประจุ และมีการเพิ่มสนามแม่เหล็กภายนอกเพื่อทำให้เกิดการปล่อยพลาสมาภายใต้สภาวะความดันต่ำ โดยอาศัยผลของการสปัตเตอร์ของไอออนบนอิเล็กโทรดเพื่อสร้างไอออนคาร์บอน ไอออนคาร์บอนและไอออนหนาแน่นในพลาสมาจะถูกเหนี่ยวนำเข้าไปในห้องการตกตะกอนพร้อมกัน และพวกมันจะถูกเร่งความเร็วเพื่อฉีดเข้าไปบนพื้นผิวเนื่องจากแรงดันไบแอสลบที่กระทำต่อพื้นผิว
ผลการทดสอบแสดงให้เห็นว่าไอออนคาร์บอนมีพลังงาน 50~100 eV ที่ห้องฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรโปร่งใสสามารถเตรียมได้บนพื้นผิว Si, NaCl, KCl, Ni และวัสดุอื่นๆ ที่อุณหภูมิต่างๆ โดยมีความต้านทานสูงถึง 10 Ω-cm ดัชนีหักเหประมาณ 2 ไม่ละลายในกรดอนินทรีย์และกรดอินทรีย์ และมีความแข็งสูงมาก
— บทความนี้เผยแพร่โดยผู้ผลิตเครื่องเคลือบสุญญากาศกว่างตงเจิ้นหัว
วันที่เผยแพร่: 31 สิงหาคม 2566