Caratteristiche di u rivestimentu di sputtering magnetron
(3) Sputtering à bassa energia. A causa di a bassa tensione catodica applicata à u bersagliu, u plasma hè ligatu da u campu magneticu in u spaziu vicinu à u catodu, inibendu cusì e particelle cariche d'alta energia à u latu di u substratu chì e persone sparanu. Dunque, u gradu di dannu à u substratu cum'è i dispositivi semiconduttori causati da u bumbardamentu di particelle cariche hè più bassu di quellu causatu da altri metudi di sputtering.
(4) Temperatura bassa di u substratu. A velocità di sputtering di magnetron hè alta, perchè u campu magneticu di u bersagliu catodicu in a regione, vale à dì, a pista di scarica di u bersagliu in una piccula zona lucalizzata di a cuncentrazione di l'elettroni hè alta, mentre chì in l'effettu magneticu fora di a regione, in particulare luntanu da u campu magneticu di a superficia di u substratu vicinu, a cuncentrazione di l'elettroni per via di a dispersione hè assai più bassa, è pò ancu esse più bassa di u sputtering di dipolo (per via di a differenza trà i dui pressioni di gas di travagliu di un ordine di grandezza). Dunque, in cundizioni di sputtering di magnetron, a cuncentrazione di l'elettroni chì bombardanu a superficia di u substratu hè assai più bassa di quella in u sputtering di diodi ordinariu, è un aumentu eccessivu di a temperatura di u substratu hè evitatu per via di a riduzione di u numeru di elettroni incidenti nantu à u substratu. Inoltre, in u metudu di sputtering di magnetron, l'anodu di u dispusitivu di sputtering di magnetron pò esse situatu intornu à a vicinanza di u catodu, è u supportu di u substratu pò ancu esse senza messa à terra è in putenziale di sospensione, in modu chì l'elettroni ùn possinu micca passà per u supportu di u substratu messa à terra è scorrere per l'anodu, riducendu cusì l'elettroni à alta energia chì bombardanu u substratu placcatu, riducendu l'aumentu di u calore di u substratu causatu da l'elettroni, è attenuendu assai u bombardamentu elettronicu secundariu di u substratu chì risulta in a generazione di calore.
(5) Incisione irregulare di u bersagliu. In u bersagliu tradiziunale di sputtering magnetron, l'usu di un campu magneticu irregulare, cusì u plasma pruducerà un effettu di cunvergenza lucale, farà chì u bersagliu nantu à a pusizione lucale di a velocità di incisione di sputtering sia grande, u risultatu hè chì u bersagliu pruducerà una incisione irregulare significativa. A velocità di utilizzazione di u bersagliu hè generalmente di circa 30%. Per migliurà a velocità di utilizzazione di u materiale di u bersagliu, pudete piglià una varietà di misure di miglioramentu, cum'è migliurà a forma è a distribuzione di u campu magneticu di u bersagliu, in modu chì u magnetu in u muvimentu internu di u catodu di u bersagliu è cusì via.
Difficultà à sputterizà bersagli di materiale magneticu. Se u bersagliu di sputterizazione hè fattu di un materiale cù alta permeabilità magnetica, e linee di forza magnetiche passeranu direttamente per l'internu di u bersagliu per accade un fenomenu di cortocircuitu magneticu, rendendu cusì difficiule a scarica di magnetron. Per generà u campu magneticu spaziale, e persone anu realizatu una varietà di studii, per esempiu, per saturà u campu magneticu in u materiale di u bersagliu, lascendu parechje lacune in u bersagliu per prumove a generazione di più perdite di aumenti di temperatura di u bersagliu magneticu, o per riduce a permeabilità magnetica di u materiale di u bersagliu.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 01 dicembre 2023