O le taʻitaʻiga o le atinaʻeina o tekonolosi tioata tioata e aofia ai foʻi le PERT ma tekonolosi Topcon, o nei tekinolosi e lua o loʻo manatu o se faʻaopoopoga o le tekinolosi faʻasalalauga masani, o latou uiga masani o le passivation layer i le pito i tua o le sela, ma e faʻaaoga uma se vaega o le doped poly silicon e pei o le pito i tua, o le aʻoga e tele lava ina faʻaaogaina i le maualuga o le vevela oxidized layer, ma le faʻaogaina o le PCD ma isi mea faapena. Tubular PECVD ma Tubular PECVD ma laulau mafolafola PECVD ua faʻaaogaina i le gaosiga tele-tele o sela PERC.
Tubular PECVD e tele lona gafatia ma e masani ona faʻaaogaina le eletise maualalo ole tele o le tele o kHz. Ion bombardment ma sosolo faʻafitauli faʻapipiʻi e mafai ona aʻafia ai le lelei o le passivation layer. PECVD ipu mafolafola e le oi ai le faʻafitauli o le faʻaogaina o le paʻu, ma e sili atu le lelei i le faʻaogaina o le faʻatinoga, ma e mafai ona faʻaaogaina mo le faʻapipiʻiina o ata Doped Si, Si0X, SiCX. O le mea le lelei o le ata faʻapipiʻiina o loʻo i ai le tele o le hydrogen, e faigofie ona faʻaosoina le paʻu o le ata tifaga, faʻatapulaʻa i le mafiafia o le ufiufi. lpcvd coating technology e faʻaogaina ai le faʻapipiʻiina o le ogaumu, faʻatasi ai ma se gafatia tele, e mafai ona teuina ata polysilicon mafiafia, ae o le ai ai faʻataʻamilomilo le plateing tupu, i le lpcvd faagasologa ina ua uma le aveesea o faataamilo i le plating o le apa ata tifaga ma e le afaina ai le vaega pito i lalo. O sela Topcon ua gaosia tele ua ausia le fua faatatau o le liua o le 23%.
——O lenei mataupu ua tatalaina emasini fa'apipi'i gaogaoGuangdong Zhenhua
Taimi meli: Sep-22-2023