D'Entwécklungsrichtung vu kristallinem Siliziumzelltechnologie ëmfaasst och d'PERT-Technologie an d'Topcon-Technologie. Dës zwou Technologien gëllen als eng Erweiderung vun der traditioneller Diffusiounsmethod-Zelltechnologie. Hir gemeinsam Charakteristike sinn d'Passivatiounsschicht op der Récksäit vun der Zell, a béid benotzen eng Schicht aus dotiertem Polysilizium als Réckfeld. D'Schicht gëtt meeschtens an der Héichtemperatur-oxidéierter Schicht benotzt, an déi dotiert Polysiliziumschicht gëtt a Form vun LPCVD a PECVD etc. benotzt. Röhren-PECVD, Röhren-PECVD a flaach Plack-PECVD goufen an der grousser Masseproduktioun vu PERC-Zellen benotzt.
Röhren-PECVD huet eng grouss Kapazitéit a benotzt normalerweis eng Nidderfrequenz-Stroumversuergung vu verschiddenen Zénger kHz. Ionenbombardement a Bypass-Beschichtungsproblemer kënnen d'Qualitéit vun der Passivéierungsschicht beaflossen. Flaach PECVD huet kee Bypass-Beschichtungsproblem a kann e gréissere Virdeel an der Beschichtungsleistung hunn a kann fir d'Oflagerung vun dotiertem Si-, Si0X- a SiCX-Filmer benotzt ginn. Den Nodeel ass, datt de beschichtete Film vill Waasserstoff enthält, wat liicht Blasenbildung vun der Filmschicht verursaacht a limitéiert ass an der Beschichtungsdicke. D'LPcvd-Beschichtungstechnologie benotzt eng Röhrenuewenbeschichtung mat enger grousser Kapazitéit a kann en décke Polysiliziumfilm ofsetzen, awer et gëtt eng Beschichtung ronderëm. Am LPcvd-Prozess gëtt d'Filmschicht no der Entfernung ronderëm ewechgeholl an d'Ënnerschicht net beschiedegt. Masseproduzéiert Topcon-Zellen hunn eng duerchschnëttlech Konversiounseffizienz vun 23% erreecht.
—— Dësen Artikel gouf publizéiert vunVakuumbeschichtungsmaschinnGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 22. September 2023