Il coefficiente di temperatura di resistenza di un film metallico varia con lo spessore del film: i film sottili sono negativi, i film spessi sono positivi e i film più spessi sono simili, ma non identici, ai materiali sfusi. In generale, il coefficiente di temperatura di resistenza varia da negativo a positivo all'aumentare dello spessore del film fino a decine di nanometri.
Inoltre, la velocità di evaporazione influisce anche sul coefficiente di temperatura resistivo dei film metallici. Una bassa velocità di evaporazione, preparata dallo strato di film, è debole, gli elettroni attraversano la sua barriera di potenziale e la capacità di produrre conduttività è debole, insieme all'ossidazione e all'adsorbimento, quindi il valore di resistenza è elevato, il coefficiente di temperatura di resistenza è piccolo o addirittura negativo. Con l'aumento della velocità di evaporazione, il coefficiente di temperatura di resistenza della resistenza cambia leggermente da grande a negativo. Ciò è dovuto alla bassa velocità di evaporazione del film preparato a causa dell'ossidazione delle proprietà dei semiconduttori, con un coefficiente di temperatura di resistenza di valori negativi. I film preparati ad alta velocità di evaporazione tendono ad avere proprietà metalliche e un coefficiente di temperatura di resistenza positivo.
Poiché la struttura del film cambia in modo irreversibile con la temperatura, anche la resistenza e il coefficiente di resistenza alla temperatura del film cambiano con la temperatura dello strato di rivestimento durante l'evaporazione, e più sottile è il film, più drastica è la variazione. Questo può essere considerato il risultato delle alterazioni chimiche causate dalla rievaporazione e dalla ridistribuzione delle particelle del film a struttura approssimativa a isola o tubolare sul substrato, nonché dalla diffusione reticolare, dalla diffusione di impurità, dalla diffusione di difetti reticolari e dall'ossidazione.
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Data di pubblicazione: 18-01-2024

