Die meisten chemischen Elemente lassen sich durch Verbindung mit chemischen Gruppen verdampfen. So reagiert Si mit H zu SiH4, und Al verbindet sich mit CH3 zu Al(CH3). Beim thermischen CVD-Prozess absorbieren die genannten Gase beim Durchgang durch das erhitzte Substrat eine gewisse Menge thermischer Energie und bilden reaktive Gruppen wie CH3 und AL(CH3)2 usw. Sie verbinden sich dann miteinander zu den reaktiven Gruppen, die sich auf dem Substrat ablagern. Anschließend verbinden sie sich miteinander und scheiden sich als dünne Filme ab. Bei der PECVD liefert die Kollision von Elektronen, energiereichen Teilchen und Gasphasenmolekülen im Plasma die zur Bildung dieser reaktiven chemischen Gruppen nötige Aktivierungsenergie.
Die Vorteile von PECVD liegen vor allem in folgenden Aspekten:
(1) Niedrigere Prozesstemperatur im Vergleich zur herkömmlichen chemischen Gasphasenabscheidung, was hauptsächlich auf die Plasmaaktivierung reaktiver Partikel anstelle einer herkömmlichen Aktivierung durch Erhitzen zurückzuführen ist;
(2) Wie bei herkömmlicher CVD ist eine gute Rundumbeschichtung der Filmschicht möglich.
(3) Die Zusammensetzung der Filmschicht kann weitgehend beliebig gesteuert werden, wodurch sich Mehrschichtfilme leicht herstellen lassen.
(4) Die Filmspannung kann durch Hoch-/Niederfrequenz-Mischtechnologie gesteuert werden.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsanlagenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungszeit: 18. April 2024