La direcció del desenvolupament de la tecnologia de cel·les de silici cristal·lí també inclou la tecnologia PERT i la tecnologia Topcon, aquestes dues tecnologies es consideren una extensió de la tecnologia de cel·les de mètode de difusió tradicional, les seves característiques comunes són la capa de passivació a la part posterior de la cel·la, i ambdues utilitzen una capa de polisilici dopat com a camp posterior, l'escola s'utilitza principalment en una capa oxidada a alta temperatura, i la capa de polisilici dopat s'utilitza a la manera de LPCVD i PECVD, etc. El PECVD tubular i el PECVD tubular i el PECVD de placa plana s'han utilitzat en la producció massiva a gran escala de cel·les PERC.
El PECVD tubular té una gran capacitat i generalment adopta una font d'alimentació de baixa freqüència de diverses desenes de kHz. El bombardeig iònic i els problemes de recobriment de bypass poden afectar la qualitat de la capa de passivació. El PECVD de placa plana no té el problema del recobriment de bypass i té un avantatge més gran en el rendiment del recobriment, i es pot utilitzar per a la deposició de pel·lícules dopades de Si, Si0X, SiCX. El desavantatge és que la pel·lícula recoberta conté molt d'hidrogen, cosa que facilita la formació de butllofes a la capa de la pel·lícula i limita el gruix del recobriment. La tecnologia de recobriment LPCVD mitjançant el recobriment en forn tubular, amb una gran capacitat, pot dipositar una pel·lícula de polisilici més gruixuda, però hi haurà un recobriment al voltant del recobriment. En el procés LPCVD, després de l'eliminació de l'al voltant del recobriment de la capa de la pel·lícula, no es fa mal a la capa inferior. Les cel·les Topcon produïdes en massa han aconseguit una eficiència de conversió mitjana del 23%.
——Aquest article ha estat publicat permàquina de recobriment al buitGuangdong Zhenhua
Data de publicació: 22 de setembre de 2023