Магнетронное распыление покрытия осуществляется в тлеющем разряде, при низкой плотности тока разряда и низкой плотности плазмы в камере нанесения покрытия. Это обуславливает такие недостатки технологии магнетронного распыления, как низкая сила сцепления пленки с подложкой, низкая скорость ионизации металла и низкая скорость осаждения...
1. Подходит для напыления и нанесения изоляционных пленок. Быстрое изменение полярности электрода позволяет напрямую напылять изоляционные мишени для получения изоляционных пленок. Если для напыления и нанесения изоляционной пленки используется источник постоянного тока, изоляционная пленка будет блокировать положительные ионы...
1. Процесс вакуумного напыления включает испарение пленочных материалов, транспортировку атомов пара в высоком вакууме, а также процесс зарождения и роста атомов пара на поверхности заготовки. 2. Степень вакуума осаждения при вакуумном напылении высока, как правило...
Нитрид титана (TiN) — это первое твердое покрытие, используемое в режущих инструментах, обладающее такими преимуществами, как высокая прочность, высокая твердость и износостойкость. Это первый промышленный и широко используемый материал для твердых покрытий, применяемый в инструментах и пресс-формах с покрытием. Первоначально твердое покрытие TiN наносилось при температуре 1000 ℃...
Высокоэнергетическая плазма может бомбардировать и облучать полимерные материалы, разрывая их молекулярные цепи, образуя активные группы, увеличивая поверхностную энергию и вызывая травление. Плазменная обработка поверхности не влияет на внутреннюю структуру и характеристики основного материала, а лишь существенно...
Процесс нанесения ионного покрытия с использованием катодно-дугового источника в основном аналогичен другим технологиям нанесения покрытий, за исключением некоторых операций, таких как установка заготовок и вакуумная очистка. 1. Бомбардировочная очистка заготовок. Перед нанесением покрытия в камеру для нанесения покрытия подается аргон...
1. Характеристики потока электронов в дуговом разряде. Плотность потока электронов, ионов и высокоэнергетических нейтральных атомов в дуговой плазме, генерируемой дуговым разрядом, значительно выше, чем в тлеющем разряде. В ней ионизировано больше газовых и металлических ионов, возбуждены высокоэнергетические атомы, и происходит активная фазовая реакция...
1) Плазменная модификация поверхности в основном относится к определенным модификациям бумаги, органических пленок, текстиля и химических волокон. Использование плазмы для модификации текстиля не требует применения активаторов, и процесс обработки не повреждает характеристики самих волокон. ...
Области применения оптических тонких пленок очень широки и охватывают широкий спектр применений: от очков, объективов фотоаппаратов, камер мобильных телефонов, ЖК-экранов для мобильных телефонов, компьютеров и телевизоров, светодиодного освещения, биометрических устройств до энергосберегающих окон в автомобилях и зданиях, а также медицинских инструментов и т.д.
1. Типы пленок в информационных дисплеях. Помимо тонких пленок TFT-LCD и OLED, информационные дисплеи также включают в себя пленки для проводящих электродов и прозрачные пленки для пиксельных электродов в дисплейной панели. Процесс нанесения покрытия является ключевым процессом в TFT-LCD и OLED дисплеях. С непрерывным развитием...
В процессе нанесения покрытий методом вакуумного испарения зарождение и рост пленочного слоя являются основой различных технологий ионного нанесения покрытий. 1. Зарождение. В технологии нанесения покрытий методом вакуумного испарения, после испарения частиц пленочного слоя из источника испарения в виде атомов, они непосредственно перемещаются к поверхности...
1. Низкое смещение обрабатываемой детали. Из-за добавления устройства, увеличивающего скорость ионизации, плотность разрядного тока возрастает, а напряжение смещения снижается до 0,5–1 кВ. Обратное распыление, вызванное чрезмерной бомбардировкой высокоэнергетическими ионами, и разрушительное воздействие на поверхность обрабатываемой детали...
1) Цилиндрические мишени имеют более высокую степень использования, чем плоские. В процессе нанесения покрытия, будь то вращающаяся магнитная или вращающаяся трубчатая цилиндрическая мишень для магнетронного распыления, все части поверхности трубки мишени непрерывно проходят через зону распыления, создаваемую перед...
Процесс плазменной прямой полимеризации. Процесс плазменной полимеризации относительно прост как для оборудования с внутренним электродом, так и для оборудования с внешним электродом, однако выбор параметров имеет большее значение в плазменной полимеризации, поскольку параметры оказывают значительное влияние...
Технология химического осаждения из газовой фазы с использованием плазмы, усиленной дуговым разрядом горячей проволоки, использует дуговой разрядник с горячей проволокой для излучения дуговой плазмы, сокращенно называемая технологией PECVD с дуговым разрядом горячей проволоки. Эта технология аналогична технологии ионного нанесения покрытий с помощью дугового разрядника с горячей проволокой, но разница заключается в том, что твердая пленка, полученная путем...