ยินดีต้อนรับสู่บริษัท กวางตุ้ง เจิ้นฮวา เทคโนโลยี จำกัด
ข่าวอุตสาหกรรม
-
การเพิ่มประสิทธิภาพการเคลือบแบบแมกเนตรอนสปัตเตอริงด้วยแหล่งจ่ายไฟแบบอาร์คดิสชาร์จ
การเคลือบด้วยวิธีแมกเนตรอนสปัตเตอริงดำเนินการในสภาวะการปล่อยประจุเรืองแสง โดยมีความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าต่ำและความหนาแน่นของพลาสมาต่ำในห้องเคลือบ ทำให้เทคโนโลยีแมกเนตรอนสปัตเตอริงมีข้อเสีย เช่น แรงยึดเกาะระหว่างฟิล์มกับพื้นผิวต่ำ อัตราการแตกตัวเป็นไอออนของโลหะต่ำ และอัตราการตกตะกอนต่ำ...อ่านเพิ่มเติม -
การใช้ประโยชน์จากการปล่อยประจุ RF
1. มีประโยชน์สำหรับการสปัตเตอร์และการชุบฟิล์มฉนวน การเปลี่ยนแปลงขั้วไฟฟ้าอย่างรวดเร็วสามารถใช้ในการสปัตเตอร์เป้าหมายฉนวนโดยตรงเพื่อให้ได้ฟิล์มฉนวน หากใช้แหล่งจ่ายไฟ DC ในการสปัตเตอร์และเคลือบฟิล์มฉนวน ฟิล์มฉนวนจะป้องกันไอออนบวกไม่ให้เข้าสู่...อ่านเพิ่มเติม -
คุณลักษณะทางเทคนิคของการเคลือบด้วยการระเหยในสุญญากาศ
1. กระบวนการเคลือบด้วยการระเหยในสุญญากาศประกอบด้วยการระเหยของวัสดุฟิล์ม การเคลื่อนย้ายอะตอมไอในสุญญากาศสูง และกระบวนการก่อตัวและการเติบโตของอะตอมไอที่พื้นผิวของชิ้นงาน 2. ระดับสุญญากาศในการตกตะกอนของการเคลือบด้วยการระเหยในสุญญากาศนั้นสูง...อ่านเพิ่มเติม -
ประเภทของสารเคลือบแข็ง
ไทเทเนียมไนโอไดเมียม (TiN) เป็นสารเคลือบแข็งชนิดแรกที่ใช้ในเครื่องมือตัด โดยมีข้อดีหลายประการ เช่น ความแข็งแรงสูง ความแข็งสูง และทนต่อการสึกหรอ เป็นวัสดุเคลือบแข็งชนิดแรกที่ได้รับการพัฒนาเป็นอุตสาหกรรมและใช้งานอย่างแพร่หลาย โดยใช้กันอย่างกว้างขวางในเครื่องมือเคลือบและแม่พิมพ์เคลือบ การเคลือบแข็ง TiN เริ่มแรกนั้นทำที่อุณหภูมิ 1000 ℃...อ่านเพิ่มเติม -
ลักษณะเฉพาะของการปรับเปลี่ยนพื้นผิวด้วยพลาสมา
พลาสมาพลังงานสูงสามารถพุ่งชนและฉายรังสีวัสดุพอลิเมอร์ ทำให้สายโซ่โมเลกุลแตกออก เกิดกลุ่มที่ออกฤทธิ์ เพิ่มพลังงานพื้นผิว และทำให้เกิดการกัดเซาะ การบำบัดพื้นผิวด้วยพลาสมาไม่ส่งผลกระทบต่อโครงสร้างภายในและประสิทธิภาพของวัสดุโดยรวม แต่มีผลอย่างมีนัยสำคัญต่อ...อ่านเพิ่มเติม -
กระบวนการเคลือบด้วยไอออนจากแหล่งกำเนิดอาร์คขนาดเล็ก
กระบวนการเคลือบด้วยไอออนจากแหล่งกำเนิดอาร์คแคโทดโดยพื้นฐานแล้วเหมือนกับเทคโนโลยีการเคลือบอื่นๆ และบางขั้นตอน เช่น การติดตั้งชิ้นงานและการดูดฝุ่นจะไม่ต้องทำซ้ำอีกต่อไป 1. การทำความสะอาดชิ้นงานด้วยการพ่น ก่อนการเคลือบ จะมีการป้อนก๊าซอาร์กอนเข้าไปในห้องเคลือบด้วย...อ่านเพิ่มเติม -
ลักษณะและวิธีการสร้างการไหลของอิเล็กตรอนอาร์ค
1. ลักษณะเฉพาะของการไหลของอิเล็กตรอนในพลาสมาอาร์ค ความหนาแน่นของการไหลของอิเล็กตรอน การไหลของไอออน และอะตอมกลางที่มีพลังงานสูงในพลาสมาอาร์คที่เกิดจากการปล่อยประจุอาร์คนั้นสูงกว่าการปล่อยประจุแบบเรืองแสงมาก มีไอออนของก๊าซและไอออนของโลหะที่แตกตัวเป็นไอออน อะตอมที่มีพลังงานสูงที่ถูกกระตุ้น และกลุ่มแอคทีฟต่างๆ มากมาย...อ่านเพิ่มเติม -
สาขาการประยุกต์ใช้การปรับเปลี่ยนพื้นผิวด้วยพลาสมา
1) การปรับเปลี่ยนพื้นผิวด้วยพลาสมาส่วนใหญ่หมายถึงการปรับเปลี่ยนพื้นผิวของกระดาษ ฟิล์มอินทรีย์ สิ่งทอ และเส้นใยเคมี การใช้พลาสมาในการปรับเปลี่ยนสิ่งทอไม่จำเป็นต้องใช้สารกระตุ้น และกระบวนการบำบัดจะไม่ทำลายคุณสมบัติของเส้นใยเอง ...อ่านเพิ่มเติม -
การประยุกต์ใช้การเคลือบไอออนในด้านฟิล์มบางทางแสง
การประยุกต์ใช้ฟิล์มบางเชิงแสงนั้นกว้างขวางมาก ตั้งแต่แว่นตา เลนส์กล้อง กล้องโทรศัพท์มือถือ จอ LCD สำหรับโทรศัพท์มือถือ คอมพิวเตอร์ และโทรทัศน์ ไฟ LED อุปกรณ์ไบโอเมตริก ไปจนถึงหน้าต่างประหยัดพลังงานในรถยนต์และอาคาร รวมถึงเครื่องมือทางการแพทย์ และอื่นๆ อีกมากมาย...อ่านเพิ่มเติม -
เทคโนโลยีฟิล์มแสดงข้อมูลและการเคลือบไอออน
1. ประเภทของฟิล์มในจอแสดงผลข้อมูล นอกเหนือจากฟิล์มบาง TFT-LCD และ OLED แล้ว จอแสดงผลข้อมูลยังรวมถึงฟิล์มอิเล็กโทรดแบบต่อสายและฟิล์มอิเล็กโทรดพิกเซลโปร่งใสในแผงจอแสดงผล กระบวนการเคลือบเป็นกระบวนการหลักของจอแสดงผล TFT-LCD และ OLED ด้วยความก้าวหน้าอย่างต่อเนื่อง...อ่านเพิ่มเติม -
กฎการเติบโตของชั้นฟิล์มเคลือบด้วยการระเหยในสุญญากาศ
ในกระบวนการเคลือบด้วยการระเหย การก่อตัวและการเติบโตของชั้นฟิล์มเป็นพื้นฐานของเทคโนโลยีการเคลือบด้วยไอออนแบบต่างๆ 1. การก่อตัว ในเทคโนโลยีการเคลือบด้วยการระเหยในสุญญากาศ หลังจากที่อนุภาคของชั้นฟิล์มระเหยออกจากแหล่งระเหยในรูปของอะตอมแล้ว พวกมันจะลอยตรงไปยัง...อ่านเพิ่มเติม -
ลักษณะทั่วไปของเทคโนโลยีการเคลือบไอออนแบบปล่อยประจุเรืองแสงขั้นสูง
1. แรงดันไบแอสของชิ้นงานต่ำ เนื่องจากการเพิ่มอุปกรณ์เพิ่มอัตราการแตกตัวเป็นไอออน ทำให้ความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าเพิ่มขึ้น และแรงดันไบแอสลดลงเหลือ 0.5~1 kV ส่งผลให้เกิดการพ่นย้อนกลับเนื่องจากการกระแทกของไอออนพลังงานสูงมากเกินไป และผลกระทบที่ทำให้พื้นผิวชิ้นงานเสียหาย...อ่านเพิ่มเติม -
ข้อดีของเป้าทรงกระบอก
1) เป้าหมายทรงกระบอกมีอัตราการใช้งานสูงกว่าเป้าหมายทรงแบน ในกระบวนการเคลือบ ไม่ว่าจะเป็นเป้าหมายการสปัตเตอร์ทรงกระบอกแบบหมุนด้วยแม่เหล็กหรือแบบหมุนด้วยท่อ ทุกส่วนของพื้นผิวของท่อเป้าหมายจะผ่านบริเวณการสปัตเตอร์ที่เกิดขึ้นด้านหน้าอย่างต่อเนื่อง...อ่านเพิ่มเติม -
กระบวนการพอลิเมอไรเซชันโดยตรงด้วยพลาสมา
กระบวนการพอลิเมอไรเซชันโดยตรงด้วยพลาสมา กระบวนการพอลิเมอไรเซชันด้วยพลาสมาค่อนข้างง่ายสำหรับทั้งอุปกรณ์พอลิเมอไรเซชันด้วยอิเล็กโทรดภายในและอุปกรณ์พอลิเมอไรเซชันด้วยอิเล็กโทรดภายนอก แต่การเลือกพารามิเตอร์มีความสำคัญมากกว่าในกระบวนการพอลิเมอไรเซชันด้วยพลาสมา เนื่องจากพารามิเตอร์มีผลกระทบมากกว่า...อ่านเพิ่มเติม -
เทคโนโลยีการสะสมไอสารเคมีด้วยพลาสมาแบบเสริมด้วยอาร์คลวดร้อน
เทคโนโลยีการเคลือบด้วยพลาสมาแบบเสริมด้วยอาร์คลวดร้อน (Hot Wire Arc Chemical Vapor Deposition: PECVD) ใช้ปืนอาร์คลวดร้อนในการปล่อยพลาสมาอาร์ค ซึ่งย่อว่าเทคโนโลยี PECVD แบบอาร์คลวดร้อน เทคโนโลยีนี้คล้ายกับเทคโนโลยีการเคลือบด้วยไอออนแบบปืนอาร์คลวดร้อน แต่ความแตกต่างคือฟิล์มแข็งที่ได้จาก...อ่านเพิ่มเติม
