Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd ga xush kelibsiz.
Sanoat yangiliklari
-
Magnetronli purkash qoplamasini yoyli zaryadsizlantirish quvvat manbai bilan kuchaytirish
Magnetronli purkash qoplamasi porlash razryadida amalga oshiriladi, qoplama kamerasida past razryad oqimi zichligi va past plazma zichligi mavjud. Bu magnetronli purkash texnologiyasining past plyonka substratiga bog'lanish kuchi, past metall ionlanish tezligi va past cho'kish nurlanishi kabi kamchiliklarini keltirib chiqaradi...Ko'proq o'qish -
RF razryadidan foydalanish
1. Izolyatsiya plyonkasini purkash va qoplash uchun foydali. Elektrod qutblanishining tez o'zgarishi izolyatsiya plyonkalarini olish uchun izolyatsiya nishonlarini to'g'ridan-to'g'ri purkash uchun ishlatilishi mumkin. Agar izolyatsiya plyonkasini purkash va qo'yish uchun doimiy tok manbai ishlatilsa, izolyatsiya plyonkasi musbat ionlarni kirishdan to'sadi...Ko'proq o'qish -
Vakuumli bug'lanish qoplamasining texnik xususiyatlari
1. Vakuumli bug'lanish qoplamasi jarayoni plyonka materiallarining bug'lanishini, yuqori vakuumda bug' atomlarini tashishni va ish qismi yuzasida bug' atomlarining yadrolanishi va o'sishi jarayonini o'z ichiga oladi. 2. Vakuumli bug'lanish qoplamasining cho'ktirish vakuum darajasi yuqori, umumiy...Ko'proq o'qish -
Qattiq qoplamalar turlari
TiN kesish asboblarida qo'llaniladigan eng qadimgi qattiq qoplama bo'lib, yuqori mustahkamlik, yuqori qattiqlik va aşınmaya bardoshlilik kabi afzalliklarga ega. Bu birinchi sanoatlashgan va keng qo'llaniladigan qattiq qoplama materiali bo'lib, qoplangan asboblar va qoplangan qoliplarda keng qo'llaniladi. TiN qattiq qoplamasi dastlab 1000 ℃ haroratda cho'ktirilgan...Ko'proq o'qish -
Plazma yuzasi modifikatsiyasining xususiyatlari
Yuqori energiyali plazma polimer materiallarini bombardimon qilishi va nurlantirishi, ularning molekulyar zanjirlarini uzishi, faol guruhlarni hosil qilishi, sirt energiyasini oshirishi va o'yib ishlangan material hosil qilishi mumkin. Plazma sirtini qayta ishlash quyma materialning ichki tuzilishi va ishlashiga ta'sir qilmaydi, balki faqat sezilarli darajada...Ko'proq o'qish -
Kichik yoy manbai ion qoplamasi jarayoni
Katodik yoy manbai ion qoplamasi jarayoni asosan boshqa qoplama texnologiyalari bilan bir xil va ish qismlarini o'rnatish va changyutgich bilan tozalash kabi ba'zi operatsiyalar endi takrorlanmaydi. 1. Ish qismlarini bombardimon bilan tozalash Qoplashdan oldin, argon gazi qoplama kamerasiga... bilan kiritiladi.Ko'proq o'qish -
Ark elektron oqimining xususiyatlari va generatsiya usullari
1. Yoy yorug'ligi elektron oqimining xususiyatlari Yoy plazmasidagi yoy zaryadsizlanishi natijasida hosil bo'lgan elektron oqimi, ion oqimi va yuqori energiyali neytral atomlarning zichligi yorqin zaryadsizlanishga qaraganda ancha yuqori. Ko'proq gaz ionlari va ionlangan, qo'zg'atilgan yuqori energiyali atomlar va turli xil faol gro...Ko'proq o'qish -
Plazma yuzasini modifikatsiyalashning qo'llanilish sohalari
1) Plazma yuzasini modifikatsiyalash asosan qog'oz, organik plyonkalar, to'qimachilik va kimyoviy tolalarning ma'lum modifikatsiyalarini anglatadi. To'qimachilik modifikatsiyasi uchun plazmadan foydalanish aktivatorlardan foydalanishni talab qilmaydi va ishlov berish jarayoni tolalarning o'ziga xos xususiyatlariga zarar yetkazmaydi. ...Ko'proq o'qish -
Optik yupqa plyonkalar sohasida ion qoplamasini qo'llash
Optik yupqa plyonkalarning qo'llanilishi juda keng bo'lib, ko'zoynaklar, kamera linzalari, mobil telefon kameralari, mobil telefonlar, kompyuterlar va televizorlar uchun LCD ekranlar, LED yoritgichlar, biometrik qurilmalardan tortib, avtomobillar va binolardagi energiya tejaydigan oynalar, shuningdek, tibbiy asboblargacha...Ko'proq o'qish -
Axborot displey plyonkalari va ion qoplama texnologiyasi
1. Axborot displeyidagi plyonka turi TFT-LCD va OLED yupqa plyonkalaridan tashqari, axborot displeyi displey panelidagi simli elektrod plyonkalari va shaffof pikselli elektrod plyonkalarini ham o'z ichiga oladi. Qoplama jarayoni TFT-LCD va OLED displeylarining asosiy jarayonidir. Uzluksiz dastur bilan...Ko'proq o'qish -
Vakuum bug'lanish qoplama plyonka qatlamining o'sish qonuni
Bug'lanish qoplamasi paytida plyonka qatlamining yadrolanishi va o'sishi turli xil ion qoplama texnologiyasining asosi hisoblanadi. 1. Yadrolanish Vakuumli bug'lanish qoplamasi texnologiyasida plyonka qatlami zarralari bug'lanish manbasidan atomlar shaklida bug'langandan so'ng, ular to'g'ridan-to'g'ri ... ga uchib ketadi.Ko'proq o'qish -
Kengaytirilgan porlash zaryadsizlanishi ion qoplama texnologiyasining umumiy xususiyatlari
1. Ish qismining moyilligi past. Ionlanish tezligini oshirish uchun qurilma qo'shilishi tufayli zaryadsizlanish oqimi zichligi oshadi va moyillik kuchlanishi 0,5 ~ 1 kV gacha kamayadi. Yuqori energiyali ionlarning haddan tashqari bombardimon qilinishi natijasida yuzaga keladigan teskari chayqalish va ish qismining sirtiga zarar yetkazish...Ko'proq o'qish -
Silindrsimon nishonlarning afzalliklari
1) Silindrsimon nishonlar tekis nishonlarga qaraganda yuqori foydalanish darajasiga ega. Qoplama jarayonida, u aylanadigan magnit turi bo'ladimi yoki aylanadigan naycha turidagi silindrsimon purkash nishoni bo'ladimi, nishon naychasi yuzasining barcha qismlari doimiy ravishda oldida hosil bo'lgan purkash maydonidan o'tadi...Ko'proq o'qish -
Plazma to'g'ridan-to'g'ri polimerizatsiya jarayoni
Plazma to'g'ridan-to'g'ri polimerizatsiya jarayoni Plazma polimerizatsiya jarayoni ichki elektrod polimerizatsiya uskunalari va tashqi elektrod polimerizatsiya uskunalari uchun nisbatan sodda, ammo Plazma polimerizatsiyasida parametrlarni tanlash muhimroq, chunki parametrlar katta...Ko'proq o'qish -
Issiq simli yoy bilan yaxshilangan plazma kimyoviy bug'larini cho'ktirish texnologiyasi
Issiq simli yoy bilan kuchaytirilgan plazma kimyoviy bug'larini cho'ktirish texnologiyasi issiq simli yoy qurolidan foydalanib, yoy plazmasini chiqaradi, bu esa issiq simli yoy PECVD texnologiyasi deb qisqartiriladi. Bu texnologiya issiq simli yoy qurolining ion qoplama texnologiyasiga o'xshaydi, ammo farq shundaki, ho tomonidan olingan qattiq plyonka...Ko'proq o'qish
