Déi meescht chemesch Elementer kënne verdampft ginn, andeems se mat chemesche Gruppe kombinéiert ginn, z.B. reagéiert Si mat H fir SiH4 ze bilden, an Al verbënnt sech mat CH3 fir Al(CH3) ze bilden. Am thermesche CVD-Prozess absorbéieren déi uewe genannte Gase eng gewëssen Quantitéit un thermescher Energie, wa se duerch dat erhëtzt Substrat passéieren a reaktiv Gruppen bilden, wéi CH3 an AL(CH3)2, etc. Si verbannen sech dann mateneen fir déi reaktiv Gruppen ze bilden, déi dann um Substrat ofgesat ginn. Duerno verbannen se sech mateneen a ginn als dënn Schichten ofgesat. Am Fall vu PECVD liwwert d'Kollisioun vun Elektronen, energesche Partikelen a Gasphasmoleküle am Plasma d'Aktivéierungsenergie, déi néideg ass fir dës reaktiv chemesch Gruppen ze bilden.
D'Virdeeler vum PECVD leien haaptsächlech an de folgende Beräicher:
(1) Méi niddreg Prozesstemperatur am Verglach mat konventioneller chemescher Gasflagerung, déi haaptsächlech op d'Plasmaaktivéierung vu reaktive Partikelen amplaz vun der konventioneller Heizaktivéierung zeréckzeféieren ass;
(2) D'selwecht wéi konventionell CVD, gutt Wrap-around Beschichtung vun der Filmschicht;
(3) D'Zesummesetzung vun der Filmschicht kann zu engem groussen Deel arbiträr kontrolléiert ginn, wouduerch et einfach ass, Méischichtfilmer ze kréien;
(4) D'Foliestress kann duerch Héich-/Niddregfrequenz-Mëschtechnologie kontrolléiert ginn.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. Abrëll 2024