Direkt Ionenstrahloflagerung ass eng Zort vun Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung. Déi direkt Ionenstrahloflagerung ass eng net-massegetrennen Ionenstrahloflagerung. Dës Technik gouf fir d'éischt am Joer 1971 benotzt fir diamantähnlech Kuelestofffilmer ze produzéieren, baséiert op dem Prinzip, datt den Haaptdeel vun der Kathod an der Anod vun der Ionenquell aus Kuelestoff besteet.
Dat empfindlecht Gas gëtt an d'Entladungskammer gefouert, an en externt Magnéitfeld gëtt bäigefüügt fir eng Plasmaentladung ënner Nidderdrockbedingungen ze verursaachen, andeems se sech op den Sputtereffekt vun den Ionen op den Elektroden baséiert fir Kuelestoffionen ze produzéieren. Kuelestoffionen an dicht Ionen am Plasma goufen zur selwechter Zäit an d'Oflagerungskammer induzéiert, a si goufen duerch den negativen Drock um Substrat beschleunegt fir op de Substrat injizéiert ze ginn.
D'Testergebnisse weisen datt d'Kuelestoffionen mat der Energie vun 50~100 eV beiZëmmerTemperatur, a Si, NaCl, KCI, Ni an aner Substrater bei der Virbereedung vun engem transparenten diamantähnleche Kuelestofffilm, engem Widderstand vun bis zu 10Q-cm, engem Breechungsindex vu ronn 2, onléislech an anorganeschen an organesche Saieren, hunn eng ganz héich Häert.
—— Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 31. August 2023