ನೇರ ಅಯಾನು ಕಿರಣದ ಶೇಖರಣೆಯು ಒಂದು ರೀತಿಯ ಅಯಾನು ಕಿರಣದ ನೆರವಿನ ಶೇಖರಣೆಯಾಗಿದೆ. ನೇರ ಅಯಾನು ಕಿರಣದ ಶೇಖರಣೆಯು ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಯಿಂದ ಬೇರ್ಪಡಿಸದ ಅಯಾನು ಕಿರಣದ ಶೇಖರಣೆಯಾಗಿದೆ. ಅಯಾನು ಮೂಲದ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಮತ್ತು ಆನೋಡ್ನ ಮುಖ್ಯ ಭಾಗವು ಇಂಗಾಲದಿಂದ ಮಾಡಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ ಎಂಬ ತತ್ವವನ್ನು ಆಧರಿಸಿ, ಈ ತಂತ್ರವನ್ನು ಮೊದಲು 1971 ರಲ್ಲಿ ವಜ್ರದಂತಹ ಕಾರ್ಬನ್ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಬಳಸಲಾಯಿತು.
ಸಂವೇದನಾಶೀಲ ಅನಿಲವನ್ನು ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಕೊಠಡಿಯೊಳಗೆ ಕರೆದೊಯ್ಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಒತ್ತಡದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡಲು ಬಾಹ್ಯ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಕಾರ್ಬನ್ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳ ಮೇಲೆ ಅಯಾನುಗಳ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದಲ್ಲಿನ ಕಾರ್ಬನ್ ಅಯಾನುಗಳು ಮತ್ತು ದಟ್ಟವಾದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಒಂದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಶೇಖರಣಾ ಕೊಠಡಿಯೊಳಗೆ ಪ್ರೇರೇಪಿಸಲಾಯಿತು ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲಿನ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಪಕ್ಷಪಾತ ಒತ್ತಡದಿಂದಾಗಿ ಅವುಗಳನ್ನು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಇಂಜೆಕ್ಟ್ ಮಾಡಲು ವೇಗಗೊಳಿಸಲಾಯಿತು.
ಪರೀಕ್ಷಾ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು 50~100eV ಶಕ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಇಂಗಾಲದ ಅಯಾನುಗಳುಕೊಠಡಿಪಾರದರ್ಶಕ ವಜ್ರದಂತಹ ಇಂಗಾಲದ ಪದರದ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ Si, NaCI, KCI, Ni ಮತ್ತು ಇತರ ತಲಾಧಾರಗಳಲ್ಲಿ ತಾಪಮಾನ, 10Q-cm ವರೆಗಿನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ, ಸುಮಾರು 2 ರ ವಕ್ರೀಭವನ ಸೂಚ್ಯಂಕ, ಅಜೈವಿಕ ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಆಮ್ಲಗಳಲ್ಲಿ ಕರಗುವುದಿಲ್ಲ, ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ.
——ಈ ಲೇಖನವನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿದವರುನಿರ್ವಾತ ಲೇಪನ ಯಂತ್ರ ತಯಾರಕಗುವಾಂಗ್ಡಾಂಗ್ ಝೆನ್ಹುವಾ
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಆಗಸ್ಟ್-31-2023