Metalfilmens modstandstemperaturkoefficient varierer med filmtykkelsen. Tynde film er negative, tykke film er positive, og tykkere film er ens, men ikke identiske med, bulkmaterialer. Generelt ændrer modstandstemperaturkoefficienten sig fra negativ til positiv, når filmtykkelsen stiger til ti nanometer.
Derudover påvirker fordampningshastigheden også den resistive temperaturkoefficient for metalfilm. Den lave fordampningshastighed, der fremstilles af filmlaget, er løs, elektronerne krydser dens potentialebarriere og har en svag evne til at producere ledningsevne, kombineret med oxidation og adsorption, så modstandsværdien er høj, og modstandstemperaturkoefficienten er lille eller endda negativ. Med stigende fordampningshastighed ændrer modstandstemperaturkoefficienten sig med en lille ændring fra stor til negativ, fra positiv. Dette skyldes den lave fordampningshastighed for den fremstillede film på grund af oxidationen af halvlederegenskaberne, og modstandstemperaturkoefficienten har negative værdier. Film fremstillet med høj fordampningshastighed har tendens til at have metalliske egenskaber og en positiv modstandstemperaturkoefficient.
Da filmens struktur ændrer sig irreversibelt med temperaturen, ændrer filmens modstand og modstandstemperaturkoefficient sig også med temperaturen i belægningslaget under fordampning, og jo tyndere filmen er, desto mere drastisk er ændringen. Dette kan betragtes som et resultat af de kemiske ændringer forårsaget af genfordampning og omfordeling af partikler i den omtrentlige ø- eller rørformede strukturfilm på substratet, såvel som gitterspredning, urenhedsspredning, spredning af gitterdefekter og oxidation.
– Denne artikel er udgivet affremstilling af vakuumbelægningsmaskinerr Guangdong Zhenhua
Opslagstidspunkt: 18. januar 2024