Capitulu 2 di a Deposizione Chimica da Vapore Migliurata da Plasma

A maiò parte di l'elementi chimichi ponu esse vaporizati cumminenduli cù gruppi chimichi, per esempiu Si reagisce cù H per furmà SiH4, è Al si combina cù CH3 per furmà Al(CH3). In u prucessu CVD termicu, i gasi sopra citati assorbenu una certa quantità di energia termica mentre passanu per u sustratu riscaldatu è formanu gruppi reattivi, cum'è CH3 è AL(CH3)2, ecc. Si combinanu poi trà di elli per furmà i gruppi reattivi, chì sò poi depositati nantu à u sustratu. In seguitu, si combinanu trà di elli è sò depositati cum'è film sottili. In u casu di PECVD, a collisione di elettroni, particelle energetiche è molecule in fase gassosa in u plasma furnisce l'energia di attivazione necessaria per furmà questi gruppi chimichi reattivi.

I vantaghji di PECVD sò principalmente in i seguenti aspetti:

(1) Temperatura di prucessu più bassa paragunata à a deposizione chimica di vapore cunvinziunale, chì hè principalmente dovuta à l'attivazione di u plasma di e particelle reattive invece di l'attivazione di u riscaldamentu cunvinziunale;

(2) Listessu cum'è a CVD cunvinziunale, bona placcatura avvolgente di u stratu di film;

(3) A cumpusizione di u stratu di film pò esse cuntrullata arbitrariamente in larga misura, ciò chì facilita l'ottenimentu di filmi multistrati;

(4) A tensione di u film pò esse cuntrullata da a tecnulugia di mischju à alta/bassa frequenza.

–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua