U coefficientu di temperatura di resistenza di u film metallicu varieghja cù u spessore di u film, i film sottili sò negativi, i film spessi sò pusitivi, è i film più spessi sò simili ma micca identichi à i materiali in massa. In generale, u coefficientu di temperatura di resistenza cambia da negativu à pusitivu quandu u spessore di u film aumenta à decine di nanometri.
Inoltre, a velocità di evaporazione affetta ancu u coefficientu di temperatura resistiva di i filmi metallichi. A bassa velocità di evaporazione preparata da u stratu di film hè sciolta, l'elettroni attraversu a so barriera potenziale è a capacità di pruduce cunduttività hè debule, accumpagnata da l'ossidazione è l'adsorbimentu, dunque u valore di resistenza hè altu, u coefficientu di temperatura di resistenza hè chjucu, o ancu negativu, cù l'aumentu di a velocità di evaporazione, u coefficientu di temperatura di resistenza di a resistenza di un picculu cambiamentu da grande, da negativu à pusitivu. Questu hè duvutu à a bassa velocità di evaporazione di u film preparatu per via di l'ossidazione di e proprietà di i semiconduttori, coefficientu di temperatura di resistenza di valori negativi. I filmi preparati à alta velocità di evaporazione tendenu à avè proprietà metalliche è anu un coefficientu di temperatura di resistenza pusitivu.
Siccomu a struttura di u film cambia irreversibilmente cù a temperatura, a resistenza è u coefficientu di temperatura di resistenza di u film cambianu ancu cù a temperatura di u stratu di rivestimentu durante l'evaporazione, è più fine hè u film, più drasticu hè u cambiamentu. Questu pò esse cunsideratu cum'è u risultatu di i cambiamenti chimichi causati da a rievaporazione è a ridistribuzione di e particelle di u film di struttura isulare o tubulare apprussimativa nantu à u sustratu, è ancu da a dispersione di u reticolo, a dispersione di l'impurità, a dispersione di i difetti di u reticolo è l'ossidazione.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricazione di macchine di rivestimentu à vuotor Guangdong Zhenhua
Data di publicazione: 18 di ghjennaghju di u 2024