မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်းတွင် ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းကို သက်ရောက်မှုရှိသော အချက်များကား အဘယ်နည်း။

၁။ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သတ္တုဒြပ်ပေါင်းများဖွဲ့စည်းခြင်း
ဓာတ်ပြုမှု sputtering လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် သတ္တုပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်မှ ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖွဲ့စည်းသည့် လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဒြပ်ပေါင်းသည် မည်သည့်နေရာတွင် ဖွဲ့စည်းထားသနည်း။ ဓာတ်ပြုမှုရှိသော ဓာတ်ငွေ့အမှုန်များနှင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်အက်တမ်များအကြား ဓာတုဓာတ်ပြုမှုသည် ဒြပ်ပေါင်းအက်တမ်များကို ထုတ်လုပ်ပေးသောကြောင့်၊ ၎င်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် အပူထုတ်လွှတ်သည့် ဒြပ်ပေါင်းအက်တမ်များကို ထုတ်လုပ်ပေးသောကြောင့်၊ ဓာတ်ပြုမှုအပူသည် ထွက်ခွာရန် နည်းလမ်းတစ်ခုရှိရမည်၊ မဟုတ်ပါက ဓာတုဓာတ်ပြုမှုသည် ဆက်လက်ဖြစ်ပွားနိုင်မည်မဟုတ်ပါ။ လေဟာနယ်အခြေအနေများတွင်၊ ဓာတ်ငွေ့များအကြား အပူလွှဲပြောင်းခြင်းသည် မဖြစ်နိုင်သောကြောင့် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုသည် အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖြစ်ပေါ်ရမည်။ ဓာတ်ပြုမှု sputtering သည် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်များ၊ အောက်ခံမျက်နှာပြင်များနှင့် အခြားဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် ဒြပ်ပေါင်းများကို ထုတ်လုပ်ပေးသည်။ အောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဒြပ်ပေါင်းများထုတ်လုပ်ခြင်းသည် ရည်မှန်းချက်ဖြစ်ပြီး၊ အခြားဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် ဒြပ်ပေါင်းများထုတ်လုပ်ခြင်းသည် အရင်းအမြစ်များကို အလဟဿဖြစ်စေပြီး ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဒြပ်ပေါင်းများထုတ်လုပ်ခြင်းသည် ဒြပ်ပေါင်းအက်တမ်များ၏ အရင်းအမြစ်အဖြစ် စတင်ပြီး ဒြပ်ပေါင်းအက်တမ်များ ပိုမိုထောက်ပံ့ပေးရန်အတွက် အတားအဆီးတစ်ခု ဖြစ်လာသည်။

၂။ ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်း၏ သက်ရောက်မှုအချက်များ
ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းကို အဓိကထိခိုက်စေသောအချက်မှာ ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့နှင့် စပက်တာရင်းဓာတ်ငွေ့အချိုးဖြစ်ပြီး ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များလွန်းခြင်းသည် ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်တွင် ဓာတ်ပြုစပက်တာရင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို လုပ်ဆောင်သောအခါ စပက်တာရင်းလမ်းကြောင်းဧရိယာသည် ဓာတ်ပြုဒြပ်ပေါင်းဖြင့် ဖုံးလွှမ်းနေပုံရသည် သို့မဟုတ် ဓာတ်ပြုဒြပ်ပေါင်းကို ခွာချပြီး သတ္တုမျက်နှာပြင်ကို ပြန်လည်ထိတွေ့စေသည်။ ဒြပ်ပေါင်းထုတ်လုပ်မှုနှုန်းသည် ဒြပ်ပေါင်းခွာချမှုနှုန်းထက် ပိုများပါက ဒြပ်ပေါင်းလွှမ်းခြုံဧရိယာ တိုးလာသည်။ အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ဒြပ်ပေါင်းထုတ်လုပ်မှုတွင်ပါဝင်သော ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့ပမာဏ တိုးလာပြီး ဒြပ်ပေါင်းထုတ်လုပ်မှုနှုန်း တိုးလာသည်။ ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့ပမာဏ အလွန်အကျွံတိုးလာပါက ဒြပ်ပေါင်းလွှမ်းခြုံဧရိယာ တိုးလာသည်။ ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှုန်းကို အချိန်မီချိန်ညှိ၍မရပါက ဒြပ်ပေါင်းလွှမ်းခြုံဧရိယာ တိုးလာမှုနှုန်းကို မနှိမ်နင်းနိုင်ဘဲ စပက်တာရင်းလမ်းကြောင်းကို ဒြပ်ပေါင်းဖြင့် ပိုမိုဖုံးလွှမ်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး စပက်တာရင်းပစ်မှတ်ကို ဒြပ်ပေါင်းဖြင့် အပြည့်အဝဖုံးလွှမ်းသွားသောအခါ ပစ်မှတ်သည် လုံးဝအဆိပ်သင့်သွားမည်ဖြစ်သည်။

၃။ ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းဖြစ်စဉ်
(၁) အပေါင်းအိုင်းယွန်းများစုပုံခြင်း- ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်သောအခါ၊ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် လျှပ်ကာအလွှာတစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာပြီး လျှပ်ကာအလွှာပိတ်ဆို့ခြင်းကြောင့် အပေါင်းအိုင်းယွန်းများသည် ကက်သုတ်ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်သို့ရောက်ရှိကြသည်။ ကက်သုတ်ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်သို့ တိုက်ရိုက်မဝင်ဘဲ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်စုပုံလာပြီး အအေးဓာတ်စက်ကွင်းမှ arc ထုတ်လွှတ်မှုဖြစ်ပေါ်စေရန်လွယ်ကူသောကြောင့် ကက်သုတ် sputtering ဆက်လက်မဖြစ်ပွားနိုင်ပါ။
(၂) anode ပျောက်ကွယ်သွားခြင်း- ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်သောအခါ၊ grounded vacuum chamber နံရံသည် insulator film ကိုစုပုံပြီး anode သို့အီလက်ထရွန်များဝင်ရောက်နိုင်ခြင်းမရှိပါ၊ anode ပျောက်ကွယ်သွားခြင်းဖြစ်စဉ်ကိုဖွဲ့စည်းသည်။

၄။ ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်း၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာရှင်းလင်းချက်
(၁) ယေဘုယျအားဖြင့် သတ္တုဒြပ်ပေါင်းများ၏ ဒုတိယအီလက်ထရွန်ထုတ်လွှတ်မှုကိန်းဂဏန်းသည် သတ္တုများထက် ပိုမိုမြင့်မားသည်။ ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ပြီးနောက် ပစ်မှတ်၏မျက်နှာပြင်သည် သတ္တုဒြပ်ပေါင်းအားလုံးဖြစ်ပြီး အိုင်းယွန်းများဖြင့် ဗုံးကြဲခံရပြီးနောက် ထုတ်လွှတ်သော ဒုတိယအီလက်ထရွန်အရေအတွက် တိုးလာပြီး ၎င်းသည် အာကာသ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေပြီး ပလာစမာ impedance ကို လျော့ကျစေကာ sputtering voltage ကို လျော့နည်းစေသည်။ ၎င်းသည် sputtering rate ကို လျော့ကျစေသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် မဂ္ဂနက်ထရွန် sputtering ၏ sputtering voltage သည် 400V-600V အကြားရှိပြီး ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်သောအခါ sputtering voltage သိသိသာသာ လျော့ကျသွားသည်။
(၂) သတ္တုပစ်မှတ်နှင့် ဒြပ်ပေါင်းပစ်မှတ်သည် မူလက sputtering rate မတူညီပါ၊ ယေဘုယျအားဖြင့် သတ္တု၏ sputtering coefficient သည် ဒြပ်ပေါင်း၏ sputtering coefficient ထက် မြင့်မားသောကြောင့် ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ပြီးနောက် sputtering rate နည်းပါးပါသည်။
(3) ဓာတ်ပြုမှုရှိသော sputtering ဓာတ်ငွေ့၏ sputtering စွမ်းဆောင်ရည်သည် မူလက inert ဓာတ်ငွေ့၏ sputtering စွမ်းဆောင်ရည်ထက် နိမ့်ကျသောကြောင့်၊ ဓာတ်ပြုမှုရှိသော ဓာတ်ငွေ့အချိုးအစား မြင့်တက်လာပြီးနောက် ပြည့်စုံသော sputtering နှုန်း လျော့ကျသွားသည်။

၅။ ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းအတွက် ဖြေရှင်းနည်းများ
(၁) အလတ်စားကြိမ်နှုန်း ပါဝါထောက်ပံ့မှု သို့မဟုတ် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို လက်ခံအသုံးပြုပါ။
(၂) ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့ဝင်ရောက်မှု၏ ပိတ်ထားသောကွင်းဆက်ထိန်းချုပ်မှုကို လက်ခံကျင့်သုံးပါ။
(၃) အမွှာပစ်မှတ်များကို လက်ခံပါ
(၄) အပေါ်ယံလွှာမုဒ်ပြောင်းလဲမှုကို ထိန်းချုပ်ပါ- အပေါ်ယံလွှာမတင်မီ၊ ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်း၏ hysteresis effect curve ကို စုဆောင်းသောကြောင့် အနည်ကျမှုနှုန်း သိသိသာသာကျဆင်းမသွားမီ လုပ်ငန်းစဉ်သည် အမြဲတမ်းမုဒ်တွင်ရှိနေစေရန် ပစ်မှတ်အဆိပ်သင့်ခြင်းထုတ်လုပ်သည့် ရှေ့တန်းတွင် အဝင်လေစီးဆင်းမှုကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

– ဤဆောင်းပါးကို ဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူ Guangdong Zhenhua Technology မှ ထုတ်ဝေသည်။