1, Бай гадаргуу дээр металлын нэгдлүүд үүсэх
Металл бай гадаргуугаас реактив шүрших процессоор нэгдэл үүсгэх явцад нэгдэл хаана үүсдэг вэ? Реактив хийн хэсгүүд болон бай гадаргуугийн атомуудын хоорондох химийн урвал нь ихэвчлэн экзотермик шинж чанартай нэгдлийн атомуудыг үүсгэдэг тул урвалын дулаан нь ялгарах аргатай байх ёстой, эс тэгвээс химийн урвал үргэлжилж чадахгүй. Вакуум нөхцөлд хийнүүдийн хооронд дулаан дамжуулах боломжгүй тул химийн урвал хатуу гадаргуу дээр явагдах ёстой. Урвалын шүрших нь бай гадаргуу, суурь гадаргуу болон бусад бүтцийн гадаргуу дээр нэгдлүүдийг үүсгэдэг. Субстратын гадаргуу дээр нэгдлүүд үүсгэх нь зорилго бөгөөд бусад бүтцийн гадаргуу дээр нэгдлүүд үүсгэх нь нөөцийн гарз бөгөөд бай гадаргуу дээр нэгдлүүд үүсгэх нь нэгдлийн атомуудын эх үүсвэр болж эхэлж, илүү олон нэгдлийн атомуудыг тасралтгүй нийлүүлэхэд саад болдог.
2, Бай хордлогын нөлөөллийн хүчин зүйлс
Байн хордлогод нөлөөлдөг гол хүчин зүйл бол урвалын хий ба цацагдах хийн харьцаа бөгөөд хэт их урвалын хий нь байн хордлогод хүргэдэг. Байн гадаргуу дээр урвалын цацагдах процесс явагдах бөгөөд цацагдах сувгийн талбай нь урвалын нэгдлээр бүрхэгдсэн мэт харагдана эсвэл урвалын нэгдлийг хуулж, металл гадаргууг дахин ил гаргана. Хэрэв нэгдлийн үүсэлтийн хурд нь нэгдлийн хуулж авах хурдаас их байвал нэгдлийн бүрхэлтийн талбай нэмэгдэнэ. Тодорхой хүчин чадлаар нэгдлийн үүсэлтэд оролцдог урвалын хийн хэмжээ нэмэгдэж, нэгдлийн үүсэлтийн хурд нэмэгдэнэ. Хэрэв урвалын хийн хэмжээ хэт ихэсвэл нэгдлийн бүрхэлтийн талбай нэмэгдэнэ. Хэрэв урвалын хийн урсгалын хурдыг цаг хугацаанд нь тохируулах боломжгүй бол нэгдлийн бүрхэлтийн талбайн өсөлтийн хурд дарагдахгүй бөгөөд цацагдах суваг нь нэгдлээр цаашид бүрхэгдэх бөгөөд цацагдах бай нь нэгдлээр бүрэн бүрхэгдсэн үед бай бүрэн хордсон гэсэн үг юм.
3, Байнгын хордлогын үзэгдэл
(1) Эерэг ионы хуримтлал: Байг хордуулах үед байны гадаргуу дээр тусгаарлагч хальсны давхарга үүсч, тусгаарлагч давхаргын бөглөрлөөс болж эерэг ионууд катодын байны гадаргуу дээр хүрдэг. Катодын байны гадаргуу руу шууд орохгүй, харин байны гадаргуу дээр хуримтлагдаж, хүйтэн талбараас нуман ялгаруулалт үүсгэхэд хялбар байдаг. Ингэснээр катодын цацалт үргэлжлэх боломжгүй болдог.
(2) Анод алга болох: Бай хордох үед газардуулгатай вакуум камерын хананд тусгаарлагч хальс наалддаг бөгөөд анод руу хүрэхэд электронууд анод руу орж чадахгүй болж, анод алга болох үзэгдэл үүсдэг.
4, Бай хордлогын физик тайлбар
(1) Ерөнхийдөө металлын нэгдлүүдийн хоёрдогч электрон ялгаралтын коэффициент нь металлынхаас өндөр байдаг. Байн хордлогын дараа байн гадаргуу нь бүхэлдээ металлын нэгдлүүд бөгөөд ионоор бөмбөгдүүлсний дараа ялгарсан хоёрдогч электронуудын тоо нэмэгдэж, энэ нь орон зайн дамжуулах чадварыг сайжруулж, плазмын импедансыг бууруулж, цацалтын хүчдэлийг бууруулдаг. Энэ нь цацалтын хурдыг бууруулдаг. Ерөнхийдөө магнетрон цацалтын цацалтын хүчдэл 400В-600В хооронд байдаг бөгөөд байн хордлого гарах үед цацалтын хүчдэл мэдэгдэхүйц буурдаг.
(2) Металл бай болон нийлмэл байны анх цацагдах хурд өөр байдаг бөгөөд ерөнхийдөө металлын цацагдах коэффициент нь нийлмэлийн цацагдах коэффициентээс өндөр байдаг тул байны хордлогын дараа цацагдах хурд бага байдаг.
(3) Реактив шүршигч хийн цацалтын үр ашиг нь анх идэвхгүй хийн цацалтын үр ашгаас бага байсан тул реактив хийн эзлэх хувь нэмэгдсэний дараа цогц цацалтын хурд буурдаг.
5, Бай хордлогын шийдэл
(1) Дунд давтамжийн цахилгаан хангамж эсвэл радио давтамжийн цахилгаан хангамжийг ашиглах.
(2) Урвалын хийн урсгалын битүү гогцооны хяналтыг хэрэгжүүлнэ.
(3) Ихэр байг батлах
(4) Бүрхүүлийн горимын өөрчлөлтийг хянах: Бүрэхээс өмнө байны хордлогын гистерезисийн нөлөөний муруйг цуглуулж, оролтын агаарын урсгалыг байны хордлого үүсгэхийн өмнө хянаж, тунадасны хурд огцом буурахаас өмнө процесс үргэлж горимд байгаа эсэхийг баталгаажуулна.
–Энэ нийтлэлийг вакуум бүрэх тоног төхөөрөмж үйлдвэрлэгч Гуандун Женхуа Технологи компани нийтэлсэн.
Нийтэлсэн цаг: 2022 оны 11-р сарын 7