ग्वांगडोंग झेनहुआ ​​टेक्नॉलॉजी कंपनी लिमिटेडमध्ये आपले स्वागत आहे.
एकल_बॅनर

मॅग्नेट्रॉन स्पटरिंगमध्ये टार्गेट पॉइझनिंगवर परिणाम करणारे घटक कोणते आहेत?

लेखाचा स्रोत: झेनहुआ ​​व्हॅक्यूम
वाचा:१०
प्रकाशित: २२-११-०७

१, लक्ष्याच्या पृष्ठभागावर धातूंच्या संयुगांची निर्मिती
रिॲक्टिव्ह स्पटरिंग प्रक्रियेद्वारे धातूच्या लक्ष्य पृष्ठभागावरून संयुग तयार करण्याच्या प्रक्रियेत ते संयुग कोठे तयार होते? प्रतिक्रियाशील वायूचे कण आणि लक्ष्य पृष्ठभागावरील अणू यांच्यातील रासायनिक अभिक्रियेमुळे संयुगाचे अणू तयार होतात, जी सामान्यतः उष्णतादायी असते. त्यामुळे, अभिक्रियेची उष्णता बाहेर जाण्यासाठी मार्ग असणे आवश्यक आहे, अन्यथा रासायनिक अभिक्रिया पुढे चालू राहू शकत नाही. निर्वात परिस्थितीत, वायूंमध्ये उष्णता हस्तांतरण शक्य नसते, म्हणून रासायनिक अभिक्रिया घन पृष्ठभागावरच झाली पाहिजे. रिॲक्शन स्पटरिंगमुळे लक्ष्य पृष्ठभाग, सब्सट्रेट पृष्ठभाग आणि इतर संरचनात्मक पृष्ठभागांवर संयुगे तयार होतात. सब्सट्रेट पृष्ठभागावर संयुगे तयार करणे हे उद्दिष्ट असते, इतर संरचनात्मक पृष्ठभागांवर संयुगे तयार करणे हा संसाधनांचा अपव्यय आहे, आणि लक्ष्य पृष्ठभागावर संयुगे तयार करणे हे सुरुवातीला संयुगाच्या अणूंचा स्रोत म्हणून सुरू होते आणि नंतर अधिक संयुगाचे अणू सतत पुरवण्यामध्ये अडथळा बनते.

२, लक्ष्य विषबाधेचे परिणाम घटक
टार्गेट पॉइझनिंगवर परिणाम करणारा मुख्य घटक म्हणजे रिॲक्शन गॅस आणि स्पटरिंग गॅस यांचे प्रमाण; रिॲक्शन गॅसचे प्रमाण जास्त झाल्यास टार्गेट पॉइझनिंग होते. रिॲक्टिव्ह स्पटरिंग प्रक्रियेदरम्यान, टार्गेटच्या पृष्ठभागावरील स्पटरिंग चॅनलचा भाग रिॲक्शन कंपाऊंडने झाकला जातो किंवा हे कंपाऊंड निघून जाते आणि धातूचा पृष्ठभाग पुन्हा उघडा पडतो. जर कंपाऊंड तयार होण्याचा दर कंपाऊंड निघून जाण्याच्या दरापेक्षा जास्त असेल, तर कंपाऊंडने व्यापलेले क्षेत्र वाढते. एका विशिष्ट पॉवरवर, कंपाऊंड तयार होण्यात सहभागी होणाऱ्या रिॲक्शन गॅसचे प्रमाण वाढते आणि कंपाऊंड तयार होण्याचा दरही वाढतो. जर रिॲक्शन गॅसचे प्रमाण प्रमाणापेक्षा जास्त वाढले, तर कंपाऊंडने व्यापलेले क्षेत्र वाढते. आणि जर रिॲक्शन गॅसचा प्रवाह दर वेळेवर समायोजित करता आला नाही, तर कंपाऊंडने व्यापलेल्या क्षेत्राच्या वाढीचा दर रोखला जात नाही आणि स्पटरिंग चॅनल कंपाऊंडने आणखी झाकले जाते. जेव्हा स्पटरिंग टार्गेट कंपाऊंडने पूर्णपणे झाकले जाते, तेव्हा ते टार्गेट पूर्णपणे पॉइझन्ड होते.

३, लक्ष्य विषबाधा घटना
(1) धन आयनांचा संचय: जेव्हा लक्ष्य विषबाधा होते, तेव्हा लक्ष्याच्या पृष्ठभागावर एक विद्युतरोधक थर तयार होतो. या विद्युतरोधक थराच्या अडथळ्यामुळे धन आयन कॅथोड लक्ष्याच्या पृष्ठभागापर्यंत पोहोचतात. ते थेट कॅथोड लक्ष्याच्या पृष्ठभागात प्रवेश करत नाहीत, परंतु लक्ष्याच्या पृष्ठभागावर जमा होतात, ज्यामुळे शीत क्षेत्रातून आर्क डिस्चार्ज — आर्किंग — सहजपणे निर्माण होते, आणि त्यामुळे कॅथोड स्पटरिंग पुढे चालू शकत नाही.
(2) ॲनोड अदृश्य होणे: जेव्हा लक्ष्य विषबाधा होते, तेव्हा ग्राउंडेड व्हॅक्यूम चेंबरच्या भिंतीवर देखील इन्सुलेटिंग फिल्म जमा होते, ज्यामुळे ॲनोडपर्यंत पोहोचणारे इलेक्ट्रॉन ॲनोडमध्ये प्रवेश करू शकत नाहीत, आणि ॲनोड अदृश्य होण्याची घटना घडते.
लक्ष्य विषावर परिणाम करणारे घटक कोणते आहेत?
४, लक्ष्य विषबाधेचे भौतिक स्पष्टीकरण
(1) सर्वसाधारणपणे, धातूंच्या संयुगांचा दुय्यम इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन गुणांक धातूंपेक्षा जास्त असतो. टार्गेट पॉइझनिंगनंतर, टार्गेटचा पृष्ठभाग पूर्णपणे धातूंच्या संयुगांचा बनलेला असतो आणि आयनांचा मारा झाल्यावर, उत्सर्जित होणाऱ्या दुय्यम इलेक्ट्रॉन्सची संख्या वाढते, ज्यामुळे अवकाशाची चालकता सुधारते आणि प्लाझ्माचा रोध कमी होतो, परिणामी स्पटरिंग व्होल्टेज कमी होतो. यामुळे स्पटरिंगचा दर कमी होतो. साधारणपणे मॅग्नेट्रॉन स्पटरिंगचा स्पटरिंग व्होल्टेज ४००V-६००V च्या दरम्यान असतो आणि जेव्हा टार्गेट पॉइझनिंग होते, तेव्हा स्पटरिंग व्होल्टेज लक्षणीयरीत्या कमी होतो.
(2) धातूचे लक्ष्य आणि संयुक्त लक्ष्य यांचा मूळ स्पटरिंग दर वेगळा असतो, सामान्यतः धातूचा स्पटरिंग गुणांक संयुक्त लक्ष्याच्या स्पटरिंग गुणांकापेक्षा जास्त असतो, त्यामुळे लक्ष्य विषबाधा झाल्यानंतर स्पटरिंग दर कमी होतो.
(3) प्रतिक्रियाशील स्पटरिंग वायूची स्पटरिंग कार्यक्षमता मुळात निष्क्रिय वायूच्या स्पटरिंग कार्यक्षमतेपेक्षा कमी असते, त्यामुळे प्रतिक्रियाशील वायूचे प्रमाण वाढल्यानंतर एकूण स्पटरिंग दर कमी होतो.

५, लक्ष्य विषबाधेवरील उपाययोजना
(1) मध्यम फ्रिक्वेन्सी वीज पुरवठा किंवा रेडिओ फ्रिक्वेन्सी वीज पुरवठा वापरा.
(2) प्रतिक्रिया वायूच्या प्रवाहाचे बंद-लूप नियंत्रण अवलंबवा.
(3) दुहेरी लक्ष्ये स्वीकारा
(4) कोटिंग मोडमधील बदल नियंत्रित करणे: कोटिंग करण्यापूर्वी, टार्गेट पॉइझनिंगचा हिस्टेरेसिस इफेक्ट कर्व्ह गोळा केला जातो जेणेकरून टार्गेट पॉइझनिंग तयार होण्याच्या आधी इनलेट एअर फ्लो नियंत्रित केला जाईल आणि हे सुनिश्चित केले जाईल की प्रक्रिया नेहमी डिपॉझिशन रेट झपाट्याने कमी होण्यापूर्वीच्या मोडमध्ये राहील.

– हा लेख व्हॅक्यूम कोटिंग उपकरणांची उत्पादक कंपनी, ग्वांगडोंग झेनहुआ ​​टेक्नॉलॉजीने प्रकाशित केला आहे.


पोस्ट करण्याची वेळ: नोव्हेंबर-०७-२०२२