化学気相成長法（CVD）。その名の通り、気体の前駆体反応物を用いて原子および分子間の化学反応によって固体膜を生成する技術です。PVDとは異なり、CVDプロセスは主に高圧（低真空）環境で行われ、高圧は主に膜の堆積速度を高めるために使用されます。化学気相成長法は、堆積プロセスにプラズマが関与するかどうかによって、一般的なCVD（熱CVDとも呼ばれる）とプラズマ強化化学気相成長法（プラズマ強化化学気相成長法、PECVD）に分類されます。このセクションでは、PECVDプロセス、一般的なPECVD装置、動作原理を含むPECVD技術に焦点を当てます。
プラズマ化学蒸着法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：CVD）は、グロー放電プラズマを利用して低圧化学蒸着プロセス中に蒸着プロセスに影響を与える薄膜化学蒸着技術です。この意味で、従来のCVD技術は、気相物質間の化学反応と薄膜の蒸着を実現するために、より高い基板温度を必要としており、熱CVD技術と呼ぶことができます。
PECVD装置では、作動ガス圧力は約5～500Paで、電子およびイオンの密度は10⁻⁻⁻/cm⁻に達し、電子の平均エネルギーは1～10eVに達します。PECVD法が他のCVD法と異なる点は、プラズマ中に多数の高エネルギー電子が含まれており、これが化学蒸着プロセスに必要な活性化エネルギーを提供できることです。電子と気相分子の衝突により、ガス分子の分解、化学合成、励起、イオン化プロセスが促進され、反応性の高い化学基が生成されます。これにより、CVD薄膜堆積の温度範囲が大幅に縮小され、本来高温で実行する必要があるCVDプロセスを低温で実現することが可能になります。低温薄膜堆積の利点は、薄膜と基板間の不要な拡散や化学反応、薄膜または基板材料の構造変化や劣化、薄膜および基板への大きな熱応力を回避できることです。
–この記事は真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時: 2024年4月18日