Гуандун Чжэньхуа Технологик Ко.,ЛТД компаниясенә рәхим итегез.
ялгыз_баннер

Плазма белән көчәйтелгән химик пар утырту 1 нче бүлек

Мәкалә чыганагы: Чжэньхуа пылесосы
Укылган:10
Бастырылган: 24-04-18

Химик пар утырту (ХПК). Исеменнән күренгәнчә, бу атом һәм молекулаара химик реакцияләр ярдәмендә каты пленкалар булдыру өчен газсыман прекурсор реагентларын кулланучы техника. ПВКдан аермалы буларак, ХПК процессы күбесенчә югарырак басымлы (түбән вакуум) мохиттә башкарыла, югарырак басым, нигездә, пленка утырту тизлеген арттыру өчен кулланыла. Химик пар утырту плазма утырту процессында катнашу-катнашмавына карап, гомуми ХПК (термик ХПК дип тә атала) һәм плазма белән көчәйтелгән химик пар утырту (Плазма белән көчәйтелгән химик пар утырту. PECVD) дип бүленергә мөмкин. Бу бүлек PECVD процессын һәм еш кулланыла торган PECVD җиһазларын һәм эш принцибын үз эченә алган PECVD технологиясенә юнәлтелгән.

Плазма белән көчәйтелгән химик пар урнаштыру - түбән басымлы химик пар урнаштыру процессы барганда урнаштыру процессына йогынты ясау өчен ялтыравыклы разряд плазмасын кулланучы юка пленкалы химик пар урнаштыру ысулы. Бу мәгънәдә, гадәти CVD технологиясе газ фазасындагы матдәләр һәм юка пленкалар урнаштыру арасындагы химик реакцияне гамәлгә ашыру өчен югарырак субстрат температурасына таяна, шуңа күрә аны термик CVD технологиясе дип атарга мөмкин.

PECVD җайланмасында эш газы басымы якынча 5~500 Па тәшкил итә, ә электроннар һәм ионнар тыгызлыгы 109~1012/см3 га җитә ала, ә электроннарның уртача энергиясе 1~10 эВ га җитә ала. PECVD ысулын башка CVD ысулларыннан аерып торган нәрсә шунда ки, плазмада күп санлы югары энергияле электроннар бар, алар химик пар урнаштыру процессы өчен кирәкле активлаштыру энергиясен тәэмин итә ала. Электроннар һәм газ фазасы молекулаларының бәрелеше газ молекулаларының таркалуын, хемосинтезын, кузгатуын һәм ионлашу процессларын стимуллаштыра ала, югары реактив химик төркемнәр барлыкка китерә, шулай итеп CVD юка пленка урнаштыруның температура диапазонын сизелерлек киметә, башта югары температураларда башкарылырга тиешле CVD процессын түбән температураларда гамәлгә ашырырга мөмкинлек бирә. Түбән температуралы юка пленка урнаштыруның өстенлеге шунда ки, ул пленка һәм субстрат арасында кирәксез диффузия һәм химик реакциядән, пленканың яки ​​субстрат материалының структура үзгәрешләреннән һәм бозылуыннан, пленкада һәм субстратта зур термик көчәнешләрдән саклана ала.

–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа


Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 18 апреле