Gipausbaw nga Kemikal nga Pagdeposito sa Singaw sa Plasma Kapitulo 1

Chemical Vapor Deposition (CVD). Sama sa gipasabot sa ngalan, kini usa ka teknik nga naggamit og gaseous precursor reactants aron makamugna og solid films pinaagi sa atomic ug intermolecular chemical reactions. Dili sama sa PVD, ang proseso sa CVD kasagaran gihimo sa mas taas nga pressure (lower vacuum) nga palibot, diin ang mas taas nga pressure gigamit panguna aron madugangan ang deposition rate sa film. Ang chemical vapor deposition mahimong ikategorya sa general CVD (nailhan usab nga thermal CVD) ug plasma-enhanced chemical vapor deposition (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. PECVD) sumala sa kung ang plasma nalambigit sa proseso sa deposition. Kini nga seksyon nagpunting sa teknolohiya sa PECVD lakip ang proseso sa PECVD ug ang kasagarang gigamit nga kagamitan ug prinsipyo sa pagtrabaho sa PECVD.

Ang plasma-enhanced chemical vapor deposition usa ka thin-film chemical vapor deposition technique nga naggamit sa glow discharge plasma aron makaapekto sa proseso sa deposition samtang nahitabo ang low-pressure chemical vapor deposition process. Niini nga diwa, ang naandan nga teknolohiya sa CVD nagsalig sa mas taas nga temperatura sa substrate aron matuman ang kemikal nga reaksyon tali sa mga substansiya sa gas phase ug ang deposition sa nipis nga mga pelikula, ug busa matawag nga thermal CVD technology.

Sa PECVD device, ang working gas pressure kay mga 5~500 Pa, ug ang density sa mga electron ug ion moabot sa 109~1012/cm3, samtang ang average energy sa mga electron moabot sa 1~10 eV. Ang nakapaila sa PECVD method gikan sa ubang CVD method kay ang plasma adunay daghang high-energy electron, nga makahatag sa activation energy nga gikinahanglan para sa chemical vapor deposition process. Ang pagbangga sa mga electron ug gas-phase molecules makapalambo sa decomposition, chemosynthesis, excitation ug ionization processes sa mga gas molecules, nga makamugna og highly reactive chemical groups, busa makapakunhod pag-ayo sa temperature range sa CVD thin film deposition, nga makapahimo sa CVD process, nga orihinal nga gikinahanglan nga ipahigayon sa taas nga temperatura, sa ubos nga temperatura. Ang bentaha sa low temperature thin film deposition kay malikayan niini ang dili kinahanglan nga diffusion ug chemical reaction tali sa film ug substrate, structural changes ug deterioration sa film o substrate material, ug dagkong thermal stresses sa film ug substrate.

–Kini nga artikulo gipagawas nitiggama og vacuum coating machineGuangdong Zhenhua