Wakuum magnetron püskürtmesi, aýratyn hem, reaktiw çökündi örtükleri üçin amatlydyr. Aslynda, bu proses islendik oksid, karbid we nitrid materiallarynyň inçe örtüklerini çökdürip biler. Mundan başga-da, bu proses, aýratyn hem, köp gatlakly plýonka gurluşlaryny, şol sanda opti... çökdürmek üçin amatlydyr.
“DLC, almaza meňzeş, tebigaty boýunça uglerod elementlerinden düzülen we grafit atomlarynyň gurluşyna eýe bolan “ALMAZ ŞEKILLI UGLOR” sözüniň gysgaldylan görnüşidir. Almaz ŞEKILLI Uglerod (DLC) amorf plýonka bolup, tribologiki jemgyýetiň ünsüni özüne çekdi...”
Almaz plýonkalarynyň elektrik häsiýetleri we ulanylyşy Almazyň şeýle hem gadagan edilen geçirijilik ukyby, ýokary daşaýjy hereketliligi, gowy ýylylyk geçirijiligi, ýokary doýgunlyk elektron sürüş tizligi, kiçi dielektrik hemişelikligi, ýokary döwülme naprýaženiýesi we elektron deşikleriniň hereketliligi we ş.m. bar. Onuň döwülme naprýaženiýesi iki ýa-da...
Güýçli himiki baglanyşyk bilen emele gelen almazyň ýörite mehaniki we elastik häsiýetleri bar. Almazyň berkligi, dykyzlygy we ýylylyk geçirijiligi belli materiallaryň arasynda iň ýokarydyr. Almaz şeýle hem islendik materialyň iň ýokary elastiklik modulyna eýedir. Almazyň sürtülme koeffisiýenti ...
Galliý arsenid (GaAs) Ⅲ ~ V birleşme batareýasynyň konwersiýa netijeliligi 28% -e çenli, GaAs birleşme materialy örän ideal optiki zolak aralygyna, şeýle hem ýokary siňdiriş netijeliligine, şöhlelenmelere güýçli garşylyga, ýylylyga duýgur däl, ýokary netijeli bir birikmeli b öndürmek üçin amatly...
Gün batareýalary üçünji nesil üçin işlenip düzüldi, olaryň birinji nesli monokristal kremniýli gün batareýalary, ikinji nesil amorf kremniý we polikristal kremniýli gün batareýalary, üçünji nesil bolsa mis-polat-galliý-selenid (CIGS) ... wekili hökmünde ulanylýar.
Membrana gatlagynyň mehaniki häsiýetlerine ýelmeşme, stres, agregasiýanyň dykyzlygy we ş.m. täsir edýär. Membrana gatlagynyň materialy bilen proses faktorlarynyň arasyndaky gatnaşykdan, membrana gatlagynyň mehaniki berkligini ýokarlandyrmak isleýän bolsak, ünsümizi ...
Epitaksial ösüş, köplenç epitaksiýa diýlip hem atlandyrylýar, ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary öndürmekde iň möhüm prosesleriň biridir. Epitaksial ösüş diýilýän zat belli bir şertlerde monokristal substratda bir önümli plýonka prosesiniň gatlagynyň ösüşi boýunça bolýar...
Giňden aýdylanda, KWD-ni iki görnüşe bölmek bolýar: biri substratda ýeke önümde, dar KWD bolan monokristal epitaksial gatlagyň bug çökündisinde; beýlekisi bolsa substratda inçe plýonkalaryň, şol sanda köp önümli we amorf plýonkalaryň çökündisinde. Şuňa görä...
Mundan biz aşakdakylary anyklaşdyrmaga synanyşýarys: (1) inçe plýonkaly enjamlar, geçirijilik, şöhle şöhlelenme spektrleri we reňkiň arasyndaky degişli gatnaşygyň reňki, ýagny reňkiň spektri; tersine, bu gatnaşyk "özboluşly däl", reňk köp spektrli hökmünde ýüze çykýar. Şonuň üçin, filmiň...
Optiki inçe plýonkalaryň geçirijilik we şöhlelenme spektrleri we reňkleri bir wagtyň özünde bar bolan inçe plýonka enjamlarynyň iki häsiýetnamasydyr. 1. Geçiriş we şöhlelenme spektri optiki inçe plýonka enjamlarynyň tolkun uzynlygy bilen şöhlelenme we geçirijilik arasyndaky gatnaşykdyr. Ol...
AF Inçe Plenka Buharlandyryş Optiki PVD wakuum örtük maşyny fiziki buhar çökdürme (PVD) prosesini ulanyp, ykjam enjamlara inçe plyonka örtüklerini sürtmek üçin niýetlenendir. Bu proses gaty materiallaryň buharlanýan we soňra çökdürilýän örtük kamerasynyň içinde wakuum gurşawyny döretmegi öz içine alýar...
Alýumin kümüşden wakuum örtükli aýna ýasaýan maşyn, ösen tehnologiýasy we takyk inženerçiligi bilen aýna öndürmek senagatynda rewolýusiýa döretdi. Bu döwrebap maşyn aýnanyň ýüzüne alýumin kümüşden inçe örtük sürmek we ýokary hilli...
Optiki wakuum metalizator ýüz örtük senagatynda rewolýusiýa döreden iň täze tehnologiýadyr. Bu ösen enjam dürli substratlara inçe metal gatlagyny çalmak üçin optiki wakuum metalizasiýa diýlip atlandyrylýan prosesi ulanýar we ýokary derejede şöhlelendiriji we çydamly ýüz döredýär...
Köp himiki elementleri himiki toparlar bilen birleşdirmek arkaly buglandyryp bolýar, mysal üçin Si H bilen reaksiýa girip SiH4 emele getirýär, Al bolsa CH3 bilen birleşip Al(CH3) emele getirýär. Termal CVD prosesinde ýokardaky gazlar gyzdyrylan substratdan geçip, gaýtadan emele gelende belli bir mukdarda ýylylyk energiýasyny özüne siňdirýärler...